Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2013
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Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
- A.
10.
- B.
20.
- C.
30.
- D.
40.
- E.
50.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Deseja-se implementar um circuito dobrador de tensão, que recebe como tensão de entrada um sinal senoidal, e fornece como saída um sinal retificado e filtrado, com valor igual ao dobro do valor de pico do sinal senoidal. Um circuito que poderia ser implementado para atender ao especificado é:
- A.
- B.
- C.
- D.
- E.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Sabendo-se que o valor eficaz da tensão Vi é Vef, o valor da tensão Vo é:
- A.
- B.
- C.
- D.
- E.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
- A.
a frequ¨ºncia do sinal gerado em Vo pode atingir valores muito altos (acima de 100 GHz).
- B.
a frequ¨ºncia do sinal Vo ¨¦ igual a 1/(2¦ÐRC).
- C.
ele fornece um sinal com forma de onda quadrada em Vo.
- D.
o sinal em Vo apresenta, necessariamente, alta distorção.
- E.
para que o circuito oscile, o seu ganho deve ser alto (acima de 100).
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
- A.
Gerador de Onda Quadrada.
- B.
Gerador Senoidal.
- C.
Multivibrador Astável.
- D.
Oscilador de Relaxação.
- E.
Oscilador Hartley.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Sobre o dispositivo T, é correto afirmar que ele
- A.
isola eletricamente o circuito de comando e do SCR.
- B.
implementa um oscilador para garantir um trem de pulsos para acionar o SCR.
- C.
transforma um sinal de comando de baixa amplitude (poucos volts) para um sinal de alta tensão (em torno de 600 V) para comandar o transistor.
- D.
deve possuir altas indutâncias de dispersão para assegurar uma boa reprodução da tensão de entrada.
- E.
é um transformador de pulsos, destinado a alargar o pulso de comando, que é muito estreito.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Em relação aos diodos D1 e Dz, é correto afirmar que
- A.
a função de D1 é conduzir durante a condução do transistor.
- B.
a função de Dz é desmagnetizar o núcleo do transformador nos instantes em que o transistor se encontra cortado.
- C.
a função de Dz é conduzir sempre que o transistor estiver conduzindo.
- D.
eles limitam a amplitude do pulso de acionamento do SCR.
- E.
eles limitam a largura do pulso de acionamento do SCR.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Supondo que V=10 V e 1 000 Hz, L=0,5 mH e R=10 Ω, a reatância indutiva XL do circuito, em Ω, está na faixa:
- A.
0,1 ≤ XL < 0,5.
- B.
0,5 ≤ XL < 1.
- C.
1 ≤ XL < 3.
- D.
3 ≤ XL < 5.
- E.
5 ≤ XL ≤ 10.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
Caso o indutor seja substituído por um capacitor de valor 5 μF, o valor da reatância capacitiva do circuito XC/π, em Ω, está na faixa:
- A.
0,01 ≤ XC < 0,1.
- B. 0,01 ≤ XC < 1.
- C.
1 ≤ XC < 10.
- D.
10 ≤ XC < 100.
- E.
100 ≤ XC < 1000.
Engenharia Eletrônica - Filtros - Fundação para o Vestibular da Universidade Estadual Paulista (VUNESP) - 2013
- A.
10 ¡Ü Wr < 40.
- B.
40 ¡Ü Wr < 80.
- C. 80 ¡Ü Wr < 120.
- D.
120 ¡Ü Wr < 160.
- E.
160 ¡Ü Wr ¡Ü 200.
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