Questões de Física da Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE)

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

As temperaturas dos substratos durante o crescimento por epitaxia por feixe molecular devem ser mantidas abaixo da temperatura de evaporação congruente do composto que se deseja crescer.

• C. Certo
• E. Errado

Um gerador de tensão senoidal é acoplado a uma associação em série de um resistor de 2 k e um capacitor de 10 µF, conforme ilustrado na figura acima. Sabendo-se que a impedância equivalente percebida pelo gerador é Z _i = (2 – 1) k, em que j é a unidade imaginária, julgue os seguintes itens.

Adotando-se como referência a fase da tensão senoidal do gerador, a amplitude e a fase da corrente i(t) em regime permanente são, respectivamente

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

O fato de ânions e cátions possuírem diferentes dinâmicas de adsorção sobre o mesmo substrato é devido à temperatura do mesmo.

• C. Certo
• E. Errado

Uma onda eletromagnética plana e linearmente polarizada, esquematizada pelo feixe k _i , paralelo ao plano xy, conforme ilustrado acima, incide na interface entre dois meios lineares e isotrópicos caracterizados pelos índices de refração n ₁ e n ₂ . Designando por  os ângulos entre a normal à interface e os sentidos dos vetores de onda dos feixes incidente (k _i ), refletido (k _r ) e refratado (k _t ), respectivamente, julgue os itens que se seguem.

No caso de uma onda eletromagnética incidente do tipo TE (transversal elétrica), os vetores de campo elétrico E dos feixes incidente, refletido e refratado são todos paralelos ao plano xy. Contrariamente, para uma onda eletromagnética incidente do tipo TM (transversal magnética), os vetores campo magnético H dos feixes incidente, refletido e refratado são perpendiculares ao plano xy.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

São exemplos de processos de deposição por vapor físico: sublimação, epitaxia por feixe molecular, sputtering e epitaxia por fase vapor.

• C. Certo
• E. Errado

Uma onda eletromagnética plana e linearmente polarizada, esquematizada pelo feixe k _i , paralelo ao plano xy, conforme ilustrado acima, incide na interface entre dois meios lineares e isotrópicos caracterizados pelos índices de refração n ₁ e n ₂ . Designando por  os ângulos entre a normal à interface e os sentidos dos vetores de onda dos feixes incidente (k _i ), refletido (k _r ) e refratado (k _t ), respectivamente, julgue os itens que se seguem.

Com respeito aos ângulos de reflexão () e refração (), as seguintes relações são válidas: e

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção física é caracterizada por um estado precursor fracamente ligado e móvel.

• C. Certo
• E. Errado

A figura acima mostra um impulso unitário X(s) = 1 [V] aplicado nos terminais de entrada de um sistema dinâmico cuja função de transferência é H(s). A transformada de Laplace Y(s) do sinal observado nos terminais de saída possui um zero em s = -2, e pólos em s ₁ = 0, s ₂ = - 1 e s ₃ = -3. Sabendo-se que Y(1) = 3/4 [V], julgue os itens subseqüentes.

A função de transferência do sistema dinâmico 

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.

• C. Certo
• E. Errado

A figura acima mostra um impulso unitário X(s) = 1 [V] aplicado nos terminais de entrada de um sistema dinâmico cuja função de transferência é H(s). A transformada de Laplace Y(s) do sinal observado nos terminais de saída possui um zero em s = -2, e pólos em s ₁ = 0, s ₂ = - 1 e s ₃ = -3. Sabendo-se que Y(1) = 3/4 [V], julgue os itens subseqüentes.

• C. Certo
• E. Errado