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Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.
O processo de luminescência é chamado de: fotoluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado a partir da injeção de fótons; eletroluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado por elétrons energéticos.
A figura acima mostra um impulso unitário X(s) = 1 [V] aplicado nos terminais de entrada de um sistema dinâmico cuja função de transferência é H(s). A transformada de Laplace Y(s) do sinal observado nos terminais de saída possui um zero em s = -2, e pólos em s 1 = 0, s 2 = - 1 e s 3 = -3. Sabendo-se que Y(1) = 3/4 [V], julgue os itens subseqüentes.
As constantes de tempo do sistema dinâmico são J1 = 1 [s] e J2 = 1/3 [s].
Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.
A fotoluminescência pode ser de dois tipos: fluorescente ou fosforescente, sendo que a primeira é um processo muito rápido e a segunda é um processo mais lento.
O circuito digital ilustrado acima é constituído por dois transistores NMOS do tipo enriquecimento (Q 1 e Q 2 ), idênticos, e por um transistor NMOS do tipo depleção (Q 3 ), que desempenha a função de resistor não linear. O circuito é projetado para trabalhar com dois níveis de tensão de entrada: 0,2 V (nível lógico 0) e 4,0 V (nível lógico 1). Quando Q 1 é alimentado com 4,0 V, a corrente de dreno e a potência estática dissipada correspondentes são 555 µA e 166,5 µW, respectivamente. Com base nessas informações, e sabendo-se que a tensão de limiar de Q 1 é dada por V t = 2,0 V, julgue os próximos itens.
O circuito acima implementa uma porta lógica do tipo NOR (não-ou), e os níveis de tensão de saída (V 0 ) são indicados na tabela verdade a seguir.
Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.
Fotoluminescência é uma poderosa ferramenta para a caracterização óptica de materiais semicondutores. Utilizando-a, é possível obter-se características de materiais semicondutores, tais como valor da energia da banda proibida, impurezas não-intencionais durante o crescimento do semicondutor e transições entre diferentes níveis de energia.
O circuito digital ilustrado acima é constituído por dois transistores NMOS do tipo enriquecimento (Q 1 e Q 2 ), idênticos, e por um transistor NMOS do tipo depleção (Q 3 ), que desempenha a função de resistor não linear. O circuito é projetado para trabalhar com dois níveis de tensão de entrada: 0,2 V (nível lógico 0) e 4,0 V (nível lógico 1). Quando Q 1 é alimentado com 4,0 V, a corrente de dreno e a potência estática dissipada correspondentes são 555 µA e 166,5 µW, respectivamente. Com base nessas informações, e sabendo-se que a tensão de limiar de Q 1 é dada por V t = 2,0 V, julgue os próximos itens.
A máxima potência estática dissipada pelo circuito digital é P max = 5,55 mW.
Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.
Um sistema para medidas de fotoluminescência deve consistir basicamente de: fonte de excitação, criostato com temperatura variável com prendedor de amostra acoplado, espectrômetro de varredura de alta resolução e sistema de detecção.
O slew-rate (SR) de um amplificador operacional é definido como a taxa máxima de variação de seu sinal de saída para que não ocorra distorção não-linear. Assim, se um determinado sinal de saída demandar uma taxa máxima de variação superior ao valor SR, esse sinal será distorcido e o amplificador operacional não funcionará satisfatoriamente. Com relação ao circuito ilustrado acima, em que o amplificador operacional possui SR = 15 V/ :s, julgue os itens seguintes.
Admitindo-se que o amplificador operacional possa ser aproximado pelo seu modelo ideal, a função de transferência do circuito é dada por
O slew-rate (SR) de um amplificador operacional é definido como a taxa máxima de variação de seu sinal de saída para que não ocorra distorção não-linear. Assim, se um determinado sinal de saída demandar uma taxa máxima de variação superior ao valor SR, esse sinal será distorcido e o amplificador operacional não funcionará satisfatoriamente. Com relação ao circuito ilustrado acima, em que o amplificador operacional possui SR = 15 V/ :s, julgue os itens seguintes.
Acoplando-se o sinal v i (t) = 25cos(4 × 10 6 t + 150 o ) [mV] à entrada do circuito, e substituindo-se Z 1 (s) e Z 2 (s) por 100 µ e R 2 , respectivamente, o valor máximo de R 2 para que o sinal de saída v o (t) não seja distorcido pelo efeito slew-rate é R 2max = 5 k
O sinal onda quadrada v(t), ilustrado acima, é sintetizado por um circuito gerador de funções. A análise de Fourier aplicada a esse sinal revela a existência somente de harmônicos ímpares. Com respeito ao processamento do sinal v(t), julgue os itens a seguir.
Com base na transformada de Fourier, o sinal v(t) possui componentes espectrais não-nulas apenas na freqüência f = 0,5 MHz e suas harmônicas ímpares (1,5 MHz, 2,5 MHz, 3,5 MHz, 4,5 MHz etc.).
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