Questões de Química do ano 2008

Para que haja ocorrência de hidrocarbonetos, por exemplo, em um campo de petróleo e gás, é essencial a disponibilidade de matéria orgânica original, sob a forma de querogênio, uma bacia sedimentar como repositório dessa matéria orgânica, onde haja rocha geradora e rocha reservatório, esta última com selagem, e uma janela de temperatura para a maturação do querogênio, associado a um gradiente geotérmico específico. A esse respeito, para que possa haver efetiva geração de hidrocarbonetos (óleo e gás), a combinação correta de parâmetros mais específicos, é

• A.

  bacias sedimentares do tipo fossa tectônica (rifte) intracratônico; querogênio original do tipo sapropélico (tipo I); diagênese superficial; temperatura de, no máximo, 60 ºC; gradiente geotérmico de 15 ºC/km.

• B.

  bacias sedimentares continentais de margem ativa; querogênio original do tipo misto (tipo II); diagênese à média profundidade (catagênese); temperatura de, no máximo, 90 ºC; gradiente geotérmico de 20 ºC/km.

• C.

  bacias sedimentares somente do tipo apartação (pull-apart); querogênio original do tipo húmico (tipo III); diagênese profunda (metagênese); temperatura entre 70 ºC e 110 ºC; gradiente geotérmico de 15 ºC/km a 20 ºC/km.

• D.

  bacias sedimentares do tipo intracratônico, de margem ativa e de margem passiva, todas estruturadas; querogênio original dos tipos I, II e III; diagênese à média profundidade (catagênese) predominante; temperatura entre 80 ºC e 130 ºC; gradiente geotérmico em torno de 30 ºC/km.

• E.

  bacias sedimentares de margem passiva e de margem ativa, ambas bem estruturadas; querogênio original dos tipos I e III; metagênese predominante; temperatura entre 70 ºC e 100 ºC; gradiente geotérmico menor que 25 ºC/km.

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

A composição química e estrutural de materiais orgânicos ou inorgânicos pode ser determinada por medidas Raman.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

O ataque químico úmido é geralmente usado para a limpeza inicial do substrato, retirando certa quantidade de material por meio de oxidação e remoção do óxido.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A litografia por feixe de íons focados e o ataque químico seco podem ser acoplados diretamente à câmara de crescimento do sistema de epitaxia por feixe molecular, a fim de reduzir a grande densidade de defeitos na interface durante um recrescimento convencional.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens subseqüentes, relacionados à remoção de camadas de metais, isolantes e semicondutores.

A técnica de remoção de camadas por fotolitografia consiste basicamente em: oxidação da superfície da amostra; aplicação de fotorresiste sobre a camada de óxido; colocação de máscara sobre o fotorresiste e exposição à luz ultravioleta; e remoção do fotorresiste exposto à luz ultravioleta.

• C. Certo
• E. Errado