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Engenharia Elétrica - Modulação Analógica - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2012
A modulação FM é mais robusta a ruído que a modulação DSB-SC.
Um técnico, ao calcular a diferença entre o resultado de uma medição e o valor verdadeiro do mensurando, obteve o valor de 0,20 mm. Após isso, o técnico resolve executar um grande número de medições do mesmo mensurando, efetuadas sob condições de repetibilidade, estimando um erro aleatório igual a 0,05 mm. Qual é o valor do erro sistemático do processo?
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?
Para evitar problemas com a tensão gerada e danos aos equipamentos alimentados, entre outros, devem ser consideradas certas condições de paralelismo inerentes às especificações e à operação de geradores.
Nesse sentido, para a instalação de dois geradores, é possível que sejam diferentes entre sisuas tensões de geração
suas potências nominais
suas frequências de geração
suas sequências de fases na ligação com o barramento alimentado
seus ângulos de defasagem
Engenharia Elétrica - Modulação Analógica - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2012
Com a modulação DSB-SC, o sinal modulado ocupa uma largura de banda maior que o obtido com a modulação FM.
Os transmissores elétricos
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter
Engenharia Elétrica - Modulação Analógica - Centro de Seleção e de Promoção de Eventos UnB (CESPE) - 2012
A modulação DSB-SC requer detecção coerente.
Os transmissores digitais
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter
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