Questões de Engenharia Elétrica

Um sistema de controle deve ser projetado e analisado quanto a sua resposta transitória e estacionária, como a garantia de entendimento completo do sistema. Julgue os itens que se seguem acerca desse assunto.

A estabilidade ou instabilidade de um sistema linear é independente do sinal de entrada, ainda que esse sistema manifeste instabilidade somente para alguns sinais de entrada.

• C. Certo
• E. Errado

A incerteza de um sistema de medição de nível, obtida do certificado de calibração, é de 0,5 mm para um nível de confiabilidade igual a 99,95%. Se o fator de abrangência for igual a 2, a incerteza padrão será de

• A. 2,00 mm
• B. 0,50 mm
• C. 0,25 mm
• D. 0,10 mm
• E. 0,05 mm

Para que servem as lentes eletrostáticas no sistema de implantações de íons?

• A. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.
• B. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.
• C. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e não manter a uniformidade do processo.
• D. Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.
• E. Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.

Um sistema de controle deve ser projetado e analisado quanto a sua resposta transitória e estacionária, como a garantia de entendimento completo do sistema. Julgue os itens que se seguem acerca desse assunto.

A estabilidade de um sistema linear de malha fechada é garantida, se todos os polos da função de transferência estiverem localizados no semiplano direito do plano S.

• C. Certo
• E. Errado

O valor da pressão de 380 mmHg na escala absoluta corresponde a

• A. 0,5 atm
• B. 1,0 atm
• C. 1,5 atm
• D. 2,0 atm
• E. 2,5 atm

Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?

• A. Não, somente com inclinação.
• B. Sim, com rotação e inclinação da lâmina.
• C. Não, pois a lâmina de Si tem estrutura amorfa.
• D. Não, pois com a lâmina de Si com orientação cristalina (100) não ocorre o efeito de canalização.
• E. Sim, mas não precisa da inclinação.

• A. 400 bar
• B. 200 bar
• C. 20 bar
• D. 2 bar
• E. 1 bar

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?

• A. Em torno de 1 MeV.
• B. Em torno de 100 keV.
• C. Em torno de 10 MeV.
• D. Em torno de 50 keV.
• E. Em torno de 1 keV.

A temperatura medida a partir de um termômetro eletrônico foi de 37,84°C. Tal temperatura, na escala absoluta, equivale a

• A. 112,16 K
• B. 212,00 K
• C. 235,32 K
• D. 283,26 K
• E. 311,00 K

No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 10²⁰ cm^-3) em lâmina de Si?

• A. Em torno de 10¹⁰ cm^-2
• B. Em torno de 10¹¹ cm^-2
• C. Em torno de 10¹² cm^-2
• D. Em torno de ou maior que 10¹⁴ cm^-2
• E. Entre 10¹² cm^-2 e 10¹³ cm^-2