Questões de Engenharia Elétrica

Assinale uma desvantagem do processo de deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.

• A. Contaminação química e por partículas.
• B. Elevada temperatura.
• C. Baixa taxa de deposição.
• D. Péssima cobertura de degrau.
• E. Não possui desvantagem.

Quais são os mecanismos de crescimento de óxido de Si sobre substrato de Si no processo de oxidação térmica?

• A. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
• B. Mecanismo de difusão da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato.
• C. Somente mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si.
• D. Somente mecanismo de reação da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.
• E. Mecanismo de implantação da espécie oxidante através do óxido de Si já crescido sobre o substrato de Si e mecanismo de recozimento da espécie oxidante com o Si, quando a espécie consegue alcançar a superfície do substrato de Si.

Um alimentador trifásico de 200 V de tensão de linha alimenta uma carga trifásica resistiva de 3.000 W.

• A.

  

• B.

  

• C.

  5

• D.

  10

• E.

  15

Acerca das propriedades e características de materiais, componentes e equipamentos elétricos, julgue os itens seguintes.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os próximos itens, acerca dos sistemas de distribuição de energia elétrica.

• C. Certo
• E. Errado

Considere um pequeno transformador monofásico de indução mútua, com as seguintes características: tensão de entrada de 2200 V, tensão e potência no secundário 220 V/660 W, respectivamente, e 10% de perda de potência. Nesse caso, a corrente máxima a ser considerada no primário é, em A,

• A.

  0,33.

• B.

  3.

• C.

  3,3.

• D.

  13.

• E.

  13.

O custo total do acidente de trabalho pode ser dividido em duas parcelas: o custo direto e o custo indireto. Ambos têm impacto na produtividade da empresa e no desempenho do acidentado no trabalho. Acerca desse assunto, julgue os itens subsequentes.

O custo indireto não tem propriamente relação com a ocorrência do acidente, uma vez que corresponde ao custo do seguro de acidentes do trabalho a ser pago pelo empregador ao Instituto Nacional de Seguridade Social.

• C. Certo
• E. Errado

Considerando as propriedades de um plasma e as de um gás com moléculas eletricamente neutras é correto afirmar que

• A. um plasma, assim como um gás com moléculas neutras, tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, além de não absorver qualquer tipo de radiação.
• B. um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem certos tipos de radiação.
• C. um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem radiação.
• D. um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, assim como um gás com moléculas neutras. Além disso, não absorve qualquer tipo de radiação.
• E. um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, um plasma absorve certos tipos de radiação que passariam sem interagir em um gás formado por moléculas neutras.

O que é a técnica de fotolitografia?

• A. É a técnica que faz a oxidação da camada do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• B. É a técnica empregada para imprimir padrões geométricos e abrir janelas em camadas na superfície do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• C. É a técnica que faz a difusão de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• D. É a técnica que faz a implantação de dopantes no substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.
• E. É a técnica que faz a limpeza do substrato, onde estão sendo fabricados os dispositivos e circuitos eletrônicos.

• A.

  19,6

• B.

  22,4

• C.

  25,6

• D.

  28,0

• E.

  32,0