Questões de Engenharia Elétrica

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Uma infraestrutura de teste possui entre outros equipamentos um analisador de espectro e um osciloscópio para o teste paramétrico de sistemas. Podemos dizer que:

  • A. O analisador de espectro é empregado para a análise do espectro digital dos sinais lógicos e o osciloscópio para o teste paramétrico de amplitude apenas.
  • B. O analisador de espectro é empregado para o teste paramétrico de sistemas analógicos em frequência e o osciloscópio para o teste paramétrico de amplitude apenas.
  • C. O analisador de espectro é empregado para o teste paramétrico de sistemas analógicos em frequência e o osciloscópio para o teste paramétrico de amplitude e tempo de sinais analógicos ou digitais.
  • D. O analisador de espectro e o osciloscópio têm a mesma finalidade, só que operam em frequências diferentes.
  • E. Ambos não podem ser usados com essa finalidade.

Uma carga resistiva é conectada a um banco de baterias, cuja tensão nominal é igual a 100 V, através de um par de condutores de cobre. A carga está a 50 metros de distância do banco de baterias, e sua corrente é igual a 20 A. Os condutores estão em equilíbrio térmico a uma temperatura tal que a resistividade do cobre é igual a 0,02 Ω.mm2/m.

Considerando-se uma queda de tensão, desde o polo positivo do banco até à carga, de exatos 5 % da tensão nominal, então a bitola dos condutores, em mm2, é

  • A.

    2,5

  • B.

    4,0

  • C.

    6,0

  • D.

    10,0

  • E.

    16,0

Os transformadores de corrente (TC) para serviço de medição são projetados para assegurar proteção aos equipamentos aos quais estão ligados. Por efeito de saturação do núcleo magnético, limita-se a corrente secundária desses transformadores a valores que não provoquem danos nos equipamentos.

Considerando-se o exposto, pode-se concluir que, normalmente, a corrente secundária de um TC

  • A.

    leva em consideração o nível de tensão ao qual está conectado, e, em casos específicos, se a tensão secundária é muito baixa, a corrente nominal é de 20 amperes.

  • B.

    leva em consideração o nível de tensão ao qual estão conectados, e, em casos específicos, são construídos os TC com corrente nominal secundária igual a 50% da corrente primária.

  • C.

    é de 5 amperes, e, em casos específicos, são construídos os TC com corrente nominal secundária que atenda aos objetivos da instalação.

  • D.

    é de 5 amperes, e, em casos específicos, são construídos os TC com corrente nominal secundária igual a 1 ampere.

  • E.

    é especificada no projeto, e, em casos específicos, se não for especificada, os TC são construídos com corrente nominal secundária igual a 1 ampere.

Quanto aos reatores de deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD), é correto afirmar que

  • A. as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões acima de 0,1 atm.
  • B. as frequências utilizadas estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões são de até 0,01 atm.
  • C. as frequências utilizadas estão na faixa do ultravioleta e as pressões acima de 0,1 atm.
  • D. as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões são de até 0,01 atm.
  • E. as frequências estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões devem ser maiores que 0,1 atm.

O processamento térmico rápido (RTP) é usado para:

  • A. A obtenção de junções rasas.
  • B. A ativação de dopantes em porta de Si –policristalino.
  • C. A silicetação.
  • D. A obtenção de óxido de porta ultra-fino.
  • E. Todos os processos citados nas alternativas acima podem ser executados com o processamento térmico rápido.

No contexto de design for debug and diagnosis (DFD), faz-se as seguintes afirmações.

I. O processo de diagnóstico e debug exige um alto grau de controlabilidade e observabilidade dos nós internos de um circuito de forma que muitas das técnicas de DFT como scan são ajustadas para este fim. Exemplos deste tipo de técnicas especialmente ajustadas para diagnóstico e debug são blocos lógicos e sinais de relógio reconfiguráveis.

II. A única forma de extrair as informações de debug e diagnóstico é através de cadeias de scan dedicadas para isto.

III. Pode-se empregar de focused ion beam (FIB) para a edição ou pequenos consertos em um circuito integrado visando isolar ou corrigir possíveis defeitos.

  • A. Apenas I é verdadeira.
  • B. Apenas II é verdadeira.
  • C. Apenas I e II verdadeiras.
  • D. Apenas I e III verdadeira.
  • E. I, II e III são verdadeiras.

No eletroduto I, passam os condutores apresentados em

  • A.

  • B.

  • C.

  • D.

  • E.

O tipo de reator de deposição química melhorada por plasma (PECVD) utilizado para obter um processamento de substratos com diâmetros maiores que 200 mm

  • A. é impossível ter substratos com diâmetros maiores que 200 mm.
  • B. é o de tubo horizontal.
  • C. é o de placas paralelas.
  • D. é o de substrato único.
  • E. é o de tubo vertical.
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