Questões de Engenharia Elétrica

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A figura acima representa um ciclo de histerese do material ferromagnético utilizado na construção de um transformador de potência. Esse transformador está com o seu secundário aberto e, em seu primário, foi aplicada uma fonte de tensão alternada de frequência muito baixa. Com base nessa figura, julgue os itens subsequentes.

A área do ciclo de histerese representa a potência dissipada no material magnético por unidade de volume, para reorientar os momentos magnéticos.

  • C. Certo
  • E. Errado

  • A.

    1.800

  • B.

    2.160

  • C.

    3.464

  • D.

    3.600

  • E.

    3.600

Nos circuitos integrados, deseja-se determinar a fase em que se encontram os silicetos, utilizando-se, para isso, a difratografia por raios-X. Essa técnica permite determinar

  • A. o estiramento das moléculas.
  • B. a densidade areal do filme.
  • C. a composição física do filme.
  • D. a estrutura do filme formado.
  • E. a microestrutura do filme formado.

Qual a técnica usada para a obtenção de uma imagem em secção transversal, com alta resolução, de uma camada de SiO2 sobre substrato Si, identificando as estruturas amorfa e cristalina do SiO2 e Si, respectivamente.

  • A. Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
  • B. Microscopia eletrônica de varredura (SEM).
  • C. Microscopia de força atômica (AFM).
  • D. Elipsometria.
  • E. Perfilometria.

  • A.

    17,45

  • B.

    17,60

  • C.

    18,05

  • D.

    19,55

  • E.

    20,30

A figura acima representa um ciclo de histerese do material ferromagnético utilizado na construção de um transformador de potência. Esse transformador está com o seu secundário aberto e, em seu primário, foi aplicada uma fonte de tensão alternada de frequência muito baixa. Com base nessa figura, julgue os itens subsequentes.

A área amboefa representa a energia fornecida pela fonte ao campo magnético durante o crescimento da densidade de fluxo magnético B de zero ao valor máximo.

  • C. Certo
  • E. Errado

A incorporação de oxigênio (O2) residual ao filme fino pode causar

  • A. aumento da resistividade do filme.
  • B. indução à formação de hillocks.
  • C. tensões.
  • D. inibição à formação de hillocks.
  • E. aumento da condutividade.
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