Questões de Engenharia Elétrica

Quais as cargas encontradas na estrutura de porta MOS e qual medida as identifica?

• A. Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.
• B. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.
• C. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).
• D. Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).
• E. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de corrente-tensão (I-V).

• A.

  a reatância é capacitiva.

• B.

  a carga provoca atraso na corrente da rede de alimentação.

• C.

  a reatância é indutiva, pois a corrente está em fase com a tensão da resistência R.

• D.

  o fator de potência da carga total é unitário.

• E.

  a resistência é desprezível, pois a tensão na reatância está em quadratura em relação à corrente.

A figura acima representa um ciclo de histerese do material ferromagnético utilizado na construção de um transformador de potência. Esse transformador está com o seu secundário aberto e, em seu primário, foi aplicada uma fonte de tensão alternada de frequência muito baixa. Com base nessa figura, julgue os itens subsequentes.

Se a frequência do sinal de tensão da fonte for aumentada, o ciclo de histerese apresentado se tornará mais estreito, devido ao efeito memória dos domínios magnéticos.

• C. Certo
• E. Errado

Considere as afirmações relativas à análise da qualidade da energia elétrica:

I. Elevação de tensão de curta duração, caracterizada pelo aumento no nível de tensão RMS acima do valor nominal, entre 1,1 e 1,8 pu, com duração entre 0,5 ciclo e um minuto, na frequência fundamental.

II. Flutuação de tensão, caracterizada pela variação brusca e intermitente da tensão RMS de uma faixa entre 0,1 e 0,7%.

III. Distúrbio periódico de tensão causado pela má operação de alguns equipamentos de eletrônica de potência quando a corrente comuta de uma fase para outra.

IV. Aumento drástico e instantâneo da tensão da rede elétrica devido às descargas atmosféricas.

Os problemas descritos acima são denominados:

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

Para o estudo de conformidade e morfologia de filmes finos, a microscopia eletrônica de varredura pode ser utilizada para

• A. obter a densidade areal.
• B. obter informações da composição C (Configuração do material como uma função da profundidade imediatamente abaixo da superfície, geralmente alguns micrômetros).
• C. determinar a distribuição das impurezas em filmes finos como função da profundidade.
• D. estiramento das moléculas.
• E. obter a composição química.

Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão.

I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura.

II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais.

III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).

• A. Apenas I é verdadeira.
• B. Apenas II é verdadeira.
• C. Apenas III é verdadeira.
• D. Apenas I e III são verdadeiras.
• E. Apenas II e III são verdadeiras.

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

Com relação a grandezas elétricas e magnéticas, julgue os itens seguintes.

• C. Certo
• E. Errado

A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita

• A. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa velocidade de operação do dispositivo.
• B. a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• C. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• D. a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• E. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.

Uma das etapas de fabricação de circuitos integrados é a dopagem de semicondutores. O coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 3.10^-15 cm2/s à 950º C. A 850º C o coeficiente de difusão do Boro no substrato é de 1,5.10^-16 cm²/s. Sabendo-se que, a 950º C, o processo desejado é realizado em 30 minutos, quanto tempo durará o processo a 850º C, para que se obtenha o mesmo resultado.

• A. Uma hora e quarenta minutos.
• B. Cinco horas.
• C. Dez horas.
• D. Dez minutos.
• E. Uma hora.