Questões de Engenharia Elétrica

Leia as afirmativas abaixo.

I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco.

Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. Apenas II e III estão corretas.

• A.

  (a – 1 – preto); (b – 4 – vermelho); (2 – azul); (5 – amarelo); (3 – 6).

• B.

  (a – 2 – preto); (b – 5 – amarelo); (3 – azul); (6 – vermelho); (1 – 4).

• C.

  (a – 2); (b – 5); (1 – amarelo); (3 – azul); (4 – preto); (6 – vermelho).

• D.

  (a – 1); (b – 4); (2 – azul); (3 – amarelo); (5 – vermelho); (6 – preto).

• E.

  (a – 4 – amarelo) ; (b – 2 – preto); (1 – 2); (vermelho – azul).

• A.

  conector split bolt.

• B.

  eletrodo de aterramento.

• C.

  grampo de aterramento.

• D.

  acoplador para medida de resistência de aterramento.

• E.

  captor tipo Franklin.

Com base nos conceitos de eletromagnetismo, julgue os itens a seguir.

• C. Certo
• E. Errado

Tipo de eletroduto mais adequado para instalação aparente de cargas que produzem elevadas vibrações, como em ramais de alimentação de máquinas e motores:

• A.

  flexível metálico.

• B.

  canaleta de PVC.

• C.

  flexível de borracha.

• D.

  rígido de PVC.

• E.

  rígido de metálico.

Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as regiões de fonte e dreno desses transistores - a escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte requisito:

• A. máxima penetração na junção.
• B. alta resistividade.
• C. alta rugosidade.
• D. existência de processo de corrosão seletiva do metal evaporado em relação ao siliceto.
• E. Reação ao SiO₂ durante as temperaturas de silicetação.

Assinale a alternativa que NÃO expressa uma etapa da deposição química a partir de vapor.

• A. O vapor se condensa na superfície do substrato.
• B. Uma mistura de gases reagentes e inertes é introduzida na câmara de reação.
• C. Os reagentes são adsorvidos no substrato.
• D. Os adátomos migram e iniciam as reações químicas que formam um filme.
• E. Os produtos gasosos da reação são dessorvidos e extraídos da câmara de reação.

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

No multímetro digital, o seletor na posição com a indicação ))) permite ao instrumento

• A.

  o teste de tensão de isolação.

• B.

  o teste de continuidade.

• C.

  o teste de resistência de isolação.

• D.

  a medida de intensidade sonora.

• E.

  a detecção de interferência eletromagnética.

Com base nos conceitos de eletromagnetismo, julgue os itens a seguir.

A direção de propagação de uma onda transversal eletromagnética é perpendicular à direção do campo elétrico e paralela à direção do campo magnético.

• C. Certo
• E. Errado