Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Quanto aos reatores de deposição química de vapor melhorada por plasma (PECVD), é correto afirmar que

• A. as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões acima de 0,1 atm.
• B. as frequências utilizadas estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões são de até 0,01 atm.
• C. as frequências utilizadas estão na faixa do ultravioleta e as pressões acima de 0,1 atm.
• D. as frequências utilizadas estão na faixa dos raios-X e as pressões são de até 0,01 atm.
• E. as frequências estão na faixa da radiofrequência e das micro-ondas e as pressões devem ser maiores que 0,1 atm.

O tipo de reator de deposição química melhorada por plasma (PECVD) utilizado para obter um processamento de substratos com diâmetros maiores que 200 mm

• A. é impossível ter substratos com diâmetros maiores que 200 mm.
• B. é o de tubo horizontal.
• C. é o de placas paralelas.
• D. é o de substrato único.
• E. é o de tubo vertical.

Uma vantagem do reator para deposição química a partir de vapor melhorada por plasma é

• A. o mecanismo simples.
• B. a elevada temperatura.
• C. a alta taxa de deposição.
• D. ser isento de contaminação.
• E. não ter vantagens.

Assinale uma desvantagem do processo de deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.

• A. Contaminação química e por partículas.
• B. Elevada temperatura.
• C. Baixa taxa de deposição.
• D. Péssima cobertura de degrau.
• E. Não possui desvantagem.

Considerando as propriedades de um plasma e as de um gás com moléculas eletricamente neutras é correto afirmar que

• A. um plasma, assim como um gás com moléculas neutras, tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, além de não absorver qualquer tipo de radiação.
• B. um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem certos tipos de radiação.
• C. um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, ambos absorvem radiação.
• D. um plasma não tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, assim como um gás com moléculas neutras. Além disso, não absorve qualquer tipo de radiação.
• E. um plasma tem a capacidade de conduzir facilmente corrente elétrica, ao contrário de um gás com moléculas neutras. Além disso, um plasma absorve certos tipos de radiação que passariam sem interagir em um gás formado por moléculas neutras.

O plasma pode ser definido como

• A. um líquido que foi aquecido suficientemente sem se tornar ionizado.
• B. um gás que foi aquecido suficientemente sem se tornar ionizado.
• C. um líquido que foi aquecido suficientemente sem se tornar ionizado.
• D. um gás que foi aquecido suficientemente até tornar-se ionizado.
• E. uma mistura líquido-vapor que foi aquecida suficientemente até tornar-se ionizada.

No processo de geração de plasma, quando se aumenta a voltagem, a densidade do plasma

• A. não se altera.
• B. diminui.
• C. aumenta.
• D. fica instável.
• E. aumenta ou diminui em função do tipo de gás.

A densidade de plasma será tanto maior quanto maior for

• A. o grau de ionização.
• B. a quantidade de radicais livres.
• C. a quantidade de partículas sólidas a alta velocidade.
• D. a quantidade de átomos.
• E. a quantidade de moléculas.

Eletromigração pode ser definida como

• A. o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento das partículas que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal.
• B. o fenômeno do deslocamento do metal em linhas grossas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que não compõe o metal.
• C. o fenômeno da transformação do metal em grossas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal.
• D. o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos íons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal.
• E. o fenômeno do deslocamento do metal em linhas finas de interconexão, provocado pela transferência da quantidade de movimento dos elétrons que fluem no condutor aos átomos que compõe o metal.

No estrangulamento do filme, na Eletromigração, ocorre

• A. um aumento de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• B. uma diminuição de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• C. uma diminuição de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• D. um aumento de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• E. uma diminuição de temperatura que não acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.