Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Com relação ao fenômeno da Eletromigração, pode-se afirmar que

• A. o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
• B. o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
• C. o resultado dessa migração é a formação de degraus no filme, devido à falta de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
• D. o resultado dessa migração é a formação de depressões no filme, devido ao excesso de metal, ao lado de projeções, devidas ao seu acúmulo.
• E. o aumento da condutividade ocorre no estrangulamento do filme.

O aquecimento do substrato proporciona uma boa cobertura de degrau porque

• A. aumenta a mobilidade dos elétrons.
• B. aumenta a mobilidade dos átomos no interior do substrato.
• C. aumenta a mobilidade dos íons.
• D. aumenta a mobilidade dos átomos na superfície.
• E. diminui a mobilidade dos átomos na superfície.

Nos circuitos integrados, deseja-se determinar a fase em que se encontram os silicetos, utilizando-se, para isso, a difratografia por raios-X. Essa técnica permite determinar

• A. o estiramento das moléculas.
• B. a densidade areal do filme.
• C. a composição física do filme.
• D. a estrutura do filme formado.
• E. a microestrutura do filme formado.

A incorporação de oxigênio (O₂) residual ao filme fino pode causar

• A. aumento da resistividade do filme.
• B. indução à formação de hillocks.
• C. tensões.
• D. inibição à formação de hillocks.
• E. aumento da condutividade.

Para o estudo de conformidade e morfologia de filmes finos, a microscopia eletrônica de varredura pode ser utilizada para

• A. obter a densidade areal.
• B. obter informações da composição C (Configuração do material como uma função da profundidade imediatamente abaixo da superfície, geralmente alguns micrômetros).
• C. determinar a distribuição das impurezas em filmes finos como função da profundidade.
• D. estiramento das moléculas.
• E. obter a composição química.

A utilização de silicetos na estrutura auto-alinhada possibilita

• A. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a baixa velocidade de operação do dispositivo.
• B. a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• C. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• D. a resistência alta de porta e áreas de fonte e dreno, maximizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.
• E. a resistência baixa de porta e áreas de fonte e dreno, minimizando o atraso RC e, em consequência, permitindo a alta velocidade de operação do dispositivo.

Pode-se afirmar que o SALICIDE é o emprego de

• A. silicetos na estrutura desalinhada.
• B. silicetos na estrutura auto-alinhada.
• C. silicetos na estrutura.
• D. tungstênio na estrutura auto-alinhada.
• E. tungstênio na estrutura desalinhada.

Com relação aos silicetos em contatos, pode-se afirmar que

• A. em contatos, os silicetos são utilizados para reduzir a resistência de contato e degradar a integridade da junção.
• B. em contatos, os silicetos são utilizados para aumentar a resistência de contato e manter a integridade da junção.
• C. em contatos, os silicetos são utilizados para reduzir a resistência de contato e manter a integridade da junção.
• D. em contatos, os silicetos são utilizados para aumentar a resistência de contato e degradar a integridade da junção.
• E. em contatos os silicetos não são utilizados.

Considerando as duas principais aplicações dos silicetos - porta em transistores MOS e como metal de contato sobre as regiões de fonte e dreno desses transistores - a escolha do siliceto para estas utilizações requer a observação do seguinte requisito:

• A. máxima penetração na junção.
• B. alta resistividade.
• C. alta rugosidade.
• D. existência de processo de corrosão seletiva do metal evaporado em relação ao siliceto.
• E. Reação ao SiO₂ durante as temperaturas de silicetação.

Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.

• A. Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato auto-alinhadas.
• B. Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato desalinhadas.
• C. Esses materiais jamais formam estruturas de contato auto-alinhadas.
• D. Não existe vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
• E. Esses silicetos têm baixo ponto de fusão e, por isso, grande condutividade.