Questões sobre Dispositivos Eletrônicos

Em aquecedores elétricos, é comum utilizar nos seus circuitos um dispositivo eletromecânico ajustável cujo princípio de funcionamento é a dilatação térmica de metais e tem por finalidade interromper a corrente elétrica da resistência de aquecimento em uma temperatura predeterminada. Trata-se de um

• A.

  fotodiodo.

• B.

  pressostato.

• C.

  reed-switch.

• D.

  termostato.

• E.

  LDR.

O texto e as figuras abaixo referem-se às questões de números 46 e 47.

O dispositivo RT é um

• A.

  fusível DIAZED.

• B.

  relé térmico.

• C.

  relé de tempo com retardo na ligação.

• D.

  relé de tempo com retardo no desligamento.

• E.

  reostato.

O IGBT, ou transistor bipolar de porta isolada é um dispositivo que está sendo amplamente utilizado em inversores comerciais. A respeito do IGBT, NÃO é correto afirmar que:

• A.

  o IGBT apresenta a característica de baixa queda de tensão no estado ligado, como o transistor bipolar (BJT)

• B.

  a velocidade de chaveamento do IGBT é menor do que a do BJT

• C.

  o disparo do IGBT é realizado pela aplicação de um pulso de corrente na porta

• D.

  a capacidade de bloqueio para tensões inversas do IGBT é muito ruim

• E.

  atualmente existem IGBTs que apresentam corrente nominal de 1kA

Os retificadores trifásicos não controlados são muito utilizados em subestações retificadoras de sistemas ferroviários e metroviários. Sobre o retificador trifásico não controlado, é correto afirmar que:

• A.

  o retificador pode utilizar 3, 6 ou 12 diodos

• B.

  o rendimento total de um retificador trifásico é menor que o de um retificador monofásico

• C.

  no retificador trifásico cada diodo conduz por 60o

• D.

  a ondulação na corrente da carga conectada ao retificador aumenta com o aumento da indutância da carga

• E.

  a tensa média na carga conectada ao retificador trifásico é sempre maior que o valor de pico da tensão de linha

É utilizado em eletrônica de potência um elemento que apresenta três terminais e é útil para o controle de potência CA. Tal componente é capaz de conduzir corrente em ambas as direções, direta e inversa, podendo ser controlado por um sinal na porta, de polaridade positiva ou negativa. Essa descrição refere-se ao

• A.

  transistor bipolar de junção (bipolar junction transistor – BJT).

• B.

  triodo CA (triode AC – TRIAC).

• C.

  retificador controlado de silício (silicon controlled rectifier – SCR).

• D.

  transistor bipolar de porta isolada (insulated gate bipolar transistor – IGBT).

Em locais de sistema de distribuição, normalmente, é necessário realizar aterramento denominado em profundidade. Para essa finalidade, a equipe técnica encarregada desse serviço precisa medir a resistividade do solo no local. O instrumento apropriado para efetuar essa medida é o

• A. ohmímetro comum combinado a eletrodo de terra.
• B. resistor à base de ZnO.
• C. megger de terra.
• D. voltímetro combinado a eletrodos de terra.

A respeito dos fusíveis diazed citados no texto e de suas curvas características, assinale a opção correta.

• A.

  As curvas dos fusíveis diazed são idênticas às curvas características de fusíveis NH, caso as correntes de curto-circuito sejam inferiores a 40 A.

• B.

  De acordo com as curvas apresentadas, não é possível selecionar um fusível capaz de interromper correntes de curto-circuito inferiores a 6 A.

• C.

  Os fusíveis de 16 A a 100 A existem somente na modalidade cartucho.

• D.

  Os fusíveis diazed são adequados para uso na proteção de condutores de rede de energia elétrica e circuitos de comando.

Os transformadores são projetados conforme as normas da ABNT, para altitudes de até 1.000 m acima do nível do mar. Em altitudes superiores, o transformador terá sua capacidade:

• A. Aumentada.
• B. Reduzida, ou necessitará de um sistema de arrefecimento mais eficaz.
• C. Aumentada e não necessitará de um sistema de arrefecimento mais eficaz
• D. Aumentada proporcionalmente à altura
• E. Inalterada.

Uma bobina de choque é uma bobina:

• A.

  de impedância alta.

• B.

  de reatância média para baixa.

• C.

  de indutância com uma resistência muito baixa.

• D.

  de indutância praticamente nula.

Não é uma classificação válida para transistores de potência:

• A.

  BCJs.

• B.

  BJTs.

• C.

  MOSFETs.

• D.

  IGBTs.