Questões sobre Eletrônica Analógica

Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

Em face das informações apresentadas, é correto afirmar que a diferença de potencial elétrico entre as placas do capacitor é maior que 18 V.

• C. Certo
• E. Errado

Com base nessas informações, julgue os itens que se seguem.

A densidade superficial de cargas livres nas placas do capacitor é, nas condições apresentadas acima, maior que 200 nC/m².

• C. Certo
• E. Errado

Na tabela acima, é apresentada a especificação técnica de um circuito digital da família TTL. Considere que mín., nom. e máx., na tabela, sejam designações para valores de tensão mínima, nominal e máxima, respectivamente. Com base na tabela, julgue os itens de 63 a 65.

A margem de ruído para o estado baixo é inferior a 0,5 V.

• C. Certo
• E. Errado

Com base nessas informações, julgue os seguintes itens.

Os valores de resistência de R₁, R₂, R₃ e R₄ são iguais a, respectivamente, 8R_x, 4R_x, 2R_x e Rx.

• C. Certo
• E. Errado

• A.

  31,4

• B.

  20,0

• C.

  18,2

• D.

  15,0

• E.

  10,0

• A.

  1.800

• B.

  2.160

• C.

  3.464

• D.

  3.600

• E.

  3.600

Quais as cargas encontradas na estrutura de porta MOS e qual medida as identifica?

• A. Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.
• B. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de quatro pontas.
• C. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).
• D. Cargas capturadas na interface, Cargas capturadas no óxido, Cargas fixas e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de Capacitância-Tensão (C-V).
• E. Cargas de geração e recombinação, Cargas de abaixamento da barreira de potencial e Cargas móveis, sendo identificadas pela medida de corrente-tensão (I-V).

Para o estudo de conformidade e morfologia de filmes finos, a microscopia eletrônica de varredura pode ser utilizada para

• A. obter a densidade areal.
• B. obter informações da composição C (Configuração do material como uma função da profundidade imediatamente abaixo da superfície, geralmente alguns micrômetros).
• C. determinar a distribuição das impurezas em filmes finos como função da profundidade.
• D. estiramento das moléculas.
• E. obter a composição química.

Um transformador com 400 espiras no primário teve aplicada uma tensão de 250 V na bobina desse segmento. Para que possa resultar uma bobina com 200 espiras no secundário, a tensão induzida a ser aplicada no secundário deve ser, em V, de

• A.

  250.

• B.

  125.

• C.

  100.

• D.

  50.

• E.

  500.

Um amperímetro que utiliza o mecanismo medidor de D’Arsonval possui uma resistência de medidor R_M de 50 Ω e corrente de fundo de escala de 1 mA. A inclusão de um resistor R_SHUNT de 12,5 Ω permitirá um acréscimo percentual na medição do amperímetro de

• A.

  300%

• B.

  400 %

• C.

  500 %

• D.

  100 %