Questões sobre Eletrônica Analógica

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No projeto de um sistema em chip (SoC), é empregado um grande número de núcleos e blocos de propriedade intelectual. Uma estratégia para lidar com a testabilidade deste tipo de sistema é:

  • A. Reprojetar os núcleos para unificar as interfaces de teste.
  • B. Utilizar o conceito de ‘wrapper’ para unificar a interface de teste externa aos núcleos de forma a criar um test access mechanism (TAM) a cada bloco hierárquico a ser testado.
  • C. Colocar pontos de teste para possibilitar o acesso aos núcleos utilizados.
  • D. Trazer para um conjunto de pinos externos a interface de teste de cada núcleo.
  • E. Não existe estratégia para testar este tipo de sistema.

Um transformador de 10 kVA/ 60 Hz atinge o rendimento máximo quando o seu carregamento chega a 50%. A perda no ferro com metade da tensão nominal e sem carga no secundário é de 0,125 kW.

Quanto valerá o rendimento máximo percentual quando a carga no transformador tiver fator de potência de 0,8?

  • A.

    80,00

  • B.

    83,33

  • C.

    88,88

  • D.

    90,90

  • E.

    96,96

Para simular o valor de transcondutância de um determinado transistor nMOS, polarizado na região tríodo para tensão entre fonte e dreno de 100 mV, que parâmetros são necessários?

  • A. Mobilidade de portadores no canal, espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.
  • B. Somente a Mobilidade de portadores no canal.
  • C. Somente a espessura do óxido de porta.
  • D. Espessura do óxido de porta, largura e comprimento da porta.
  • E. Mobilidade de portadores no canal, largura e comprimento da porta.

Uma bomba d´água de um reservatório é acionada por um motor de indução trifásico de 10 CV e 60 Hz. Tal motor desenvolve um torque nominal de 115lb-pé, e sua reatância com rotor bloqueado é cinco vezes o valor da resistência desse rotor.

Baseando-se nos dados fornecidos, o valor do escorregamento percentual, quando o torque for máximo, é de

  • A.

    0

  • B.

    20

  • C.

    25

  • D.

    50

  • E.

    100

No contexto da implementação física de um circuito integrado afirma-se o que segue. I. O efeito de eletromigração (EM) é decorrente da alta densidade de corrente e alternância de temperatura nas linhas de interconexão sendo uma das causas de ruptura ou falha mecânica das mesmas. II. O emprego de bibliotecas de células com múltiplos Vt (tensões de limiar dos transistores) objetiva a redução da corrente de fuga (leakage) em geometrias com canal mais curto. III. Efeitos de interferência entre trilhas de roteamento têm impacto no incremento do atraso na linha afetado degradando a integridade do sinal.

  • A. Apenas I é verdadeira.
  • B. Apenas II é verdadeira.
  • C. Apenas I e II verdadeiras.
  • D. Apenas I e III verdadeira.
  • E. I, II e III são verdadeiras.
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