Questões sobre Microeletrônica

Quando se indica que um circuito integrado foi fabricado em tecnologia CMOS com rótulo de 0,35 micrometro, sabe-se que

• A. o óxido de porta tem espessura de 0,35 micrometro.
• B. a distância mínima entre dois transistores deve ser de 0,35 micrometro.
• C. a menor dimensão de um transistor que se consegue realizar no chip é de 0,35 micrometro.
• D. o comprimento de onda da fonte UV utilizada para a etapa de fotolitografia é de 0,35 micrometro.
• E. a densidade de transistores nesta tecnologia pode ser maior que em uma tecnologia CMOS com rótulo 0,5 micrometro.

O processo de fotolitografia é essencial para a fabricação de circuitos integrados. No escopo da fotolitografia qual das afirmativas abaixo é a correta?

• A. Utiliza-se um material polimérico denominado eletroresiste para a transferência de um padrão geométrico para o chip.
• B. Consegue-se uma definição lateral menor de um padrão geométrico com um comprimento de onda maior do feixe de luz.
• C. Consegue-se obter dimensões laterais menores do padrão geométrico através de imersão em solução líquida.
• D. Fotolitografia de contato é o método que permite a maior repetibilidade na produção de chips.
• E. A melhor resolução fotolitográfica é obtida quando se utiliza uma lente de projeção com superfície esférica.

Em um substrato de silício fortemente dopado com Boro, é crescida uma camada epitaxial fracamente dopada com Boro, dentro da qual pode ser criada uma região denominada poço n. Qual é a principal finalidade do poço n em uma tecnologia CMOS em que se pretende alta densidade de transistores?

• A. Possibilitar a criação de dispositivos PMOS.
• B. Possibilitar a criação de dispositivos NMOS.
• C. Reduzir a possibilidade de interferência de sinal entre transistores vizinhos.
• D. Servir como dreno ou fonte para os transistores NMOS.
• E. Introduzir dispositivos do tipo diodo retificador no chip.

Os níveis de tensão permitidos são menores em chips fabricados em processos CMOS padrão com rótulo menor, escalonados com campo constante. Dos fatores abaixo relacionados, qual influencia mais significativamente essa tendência?

• A. Maior concentração de dopantes nas regiões de dreno e fonte dos transistores MOSFET.
• B. Inclusão de transistores bipolares no chip.
• C. Utilização de filmes com baixa permissividade elétrica relativa entre camadas de metal.
• D. Aumento no número de camadas de metal para trilhas.
• E. Necessidade de níveis de tensão cada vez menores na saída do chip.

Um circuito integrado CMOS arbitrário possui substrato do tipo p coberto com uma camada epitaxial do tipo p, e a possibilidade de poços n contidos dentro da camada epitaxial. Qual das afirmativas abaixo é falsa?

• A. A camada epitaxial deve estar sempre conectada ao menor potencial praticado no chip.
• B. Um poço n com transistor FET dentro de si deve estar sempre conectado ao maior potencial praticado no chip.
• C. Deve-se projetar um único transistor PMOS por poço n.
• D. O dreno e a fonte de dois transistores PMOS, respectivamente, conectados em série, podem ser projetados sobrepostos.
• E. Pode-se projetar um resistor utilizando-se o poço n.

No projeto de um circuito integrado analógico, frequentemente é necessária a inclusão de capacitores no chip. Em uma tecnologia CMOS padrão com 3 camadas de metal, 2 camadas de polisilício e poço n, qual dos capacitores abaixo tem sua capacitância mais sensível a variações de tensão?

• A. Capacitor de placas paralelas polisilício1-polisilício2.
• B. Capacitor de placas paralelas metal1-metal3.
• C. Capacitor de placas paralelas metal1 – polisilício1.
• D. Capacitor MOS no poço n.
• E. Capacitor de polisilício2 interdigitado.

Em um transistor PMOS de efeito de campo de um processo CMOS padrão,

• A. a região do dreno deve ser mais dopada que a da fonte.
• B. a região da fonte deve ser mais dopada que a do dreno.
• C. dreno e fonte devem ser fortemente dopados com fósforo.
• D. dreno e fonte são alinhados pela respectiva porta, não necessitando de máscara litográfica específica.
• E. a mobilidade dos portadores de carga no canal é maior que a dos portadores no canal de um NMOS com as mesmas dimensões.

Qual dos processos abaixo não está diretamente relacionado com as etapas de fabricação de um circuito integrado em um processo CMOS padrão moderno?

• A. Oxidação.
• B. Deposição química a vapor.
• C. Difusão.
• D. Corrosão por plasma.
• E. Funcionalização da superfície.

Sobre o silício (Si) utilizado na indústria de microeletrônica, qual das afirmativas abaixo está correta?

• A. Apenas utiliza-se o Si encontrado em sua forma monocristalina na natureza.
• B. O Si de células solares policristalinas tem pureza comparável ao Si para a microeletrônica.
• C. O Si utilizado em microeletrônica é encontrado em forma de silicato e sofre sucessivas etapas de destilação fracionada.
• D. O Si é encontrado policristalino na natureza, depois é derretido, purificado e recristalizado através de choque térmico.
• E. Durante a cristalização do Si são acrescentados átomos de germânio para aumentar a mobilidade dos elétrons.

Para que serve o processo de implantação de íons na tecnologia de fabricação de circuitos integrados e dispositivos semicondutores?

• A. Serve para oxidar substratos semicondutores.
• B. Serve para limpar substratos semicondutores.
• C. Serve para introduzir impurezas (dopantes) em substratos semicondutores.
• D. Serve para metalizar substratos semicondutores.
• E. Não serve para a tecnologia de fabricação de circuitos integrados e dispositivos semicondutores.