Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

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Analise as afirmativas abaixo:

I – Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido.

II – Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO2).

III – A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O2) e água (H2O), aumentando a taxa de crescimento do óxido.

A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)

  • A. apenas I.
  • B. apenas II.
  • C. apenas III.
  • D. apenas I e II.
  • E. apenas II e III.

Leia atentamente as afirmativas abaixo.

I – A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão.

II – No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente.

III – No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão.

Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)

  • A. apenas I.
  • B. apenas II.
  • C. apenas III.
  • D. apenas II e III.
  • E. apenas I, II e III.

Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como

  • A. deposição física a partir de vapor à pressão atmosférica.
  • B. deposição química de vapor melhorada por plasma.
  • C. spin-on.
  • D. deposição física a altas temperaturas.
  • E. deposição física por Sputtering.

Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.

I – O oxigênio e o vapor d’água se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício.

II – A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício.

III – A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício.

A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)

  • A. apenas I.
  • B. apenas II.
  • C. apenas III.
  • D. apenas I e II.
  • E. apenas I, II e III.

As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:

  • A. aceleração do spinner.
  • B. velocidade final de rotação.
  • C. velocidade do plasma.
  • D. velocidade do spinner no momento do gotejamento da solução.
  • E. viscosidade da solução.

Considere as afirmativas abaixo.

I – Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial.

II – Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido.

III – Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

  • A. Apenas I está correta.
  • B. Apenas II está correta.
  • C. Apenas III está correta.
  • D. Apenas II e III estão corretas.
  • E. Apenas I e III estão corretas.

A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é

  • A. spin-on.
  • B. deposição física a partir de vapor por Sputtering.
  • C. deposição química a partir de vapor melhorada por plasma.
  • D. deposição química a partir de vapor em baixa pressão.
  • E. deposição química a partir de vapor à pressão atmosférica.

As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.

  • A. Tratamento térmico.
  • B. Concentração de dopante.
  • C. Tipo de dopante.
  • D. Ciclo térmico.
  • E. Rotação do spinner.

Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.

I – Dopagem por difusão.

II – Dopagem in situ.

III – Implantação iônica.

Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.

  • A. Apenas I é utilizada.
  • B. Apenas II é utilizada.
  • C. Apenas III é utilizada.
  • D. Apenas I e II são utilizadas.
  • E. I, II e III são utilizadas.

Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.

  • A. Deposição de fotorresite.
  • B. Deposição de poliimida.
  • C. Metalização.
  • D. Deposição de epóxi.
  • E. Deposição de camada de vidro com propriedades semelhantes ao dióxido de silício.
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