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Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Analise as afirmativas abaixo:
I Durante os estágios iniciais da oxidação, a concentração de dopantes não tem influência na taxa de crescimento do óxido. II Em óxido com grande concentração de dopante, a taxa de crescimento durante o estágio da oxidação controlado por difusão depende fortemente da concentração de impurezas no óxido de silício (SiO2). III A migração de dopante para o óxido enfraquece as ligações no óxido, o que facilita a difusão de oxigênio (O2) e água (H2O), aumentando a taxa de crescimento do óxido. A(s) afirmativa(s) correta(s) é (são)Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Leia atentamente as afirmativas abaixo.
I A difusividade no silicone monocristalino e policristalino é controlada pela difusão no interior do grão. II No polissilício, os grãos são pequenos e a difusão no interior dos grãos ocorre muito rapidamente. III No silício policristalino, a difusividade é controlada pela difusão nos contornos de grão. Está(estão) correta(s) a(s) afirmativa(s)Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Deposita-se a solução que contém o dopante no centro da lâmina de silício e, rapidamente, a mesma é colocada em alta rotação, de modo que a solução forme uma película homogênea sobre sua superfície. O processo de deposição ora descrito é conhecido como
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Leia atentamente as afirmativas abaixo acerca do nitreto de silício.
I O oxigênio e o vapor dágua se difundem muito lentamente pelo nitreto de silício. II A oxidação do nitreto de silício é mais rápida que a oxidação do dióxido de silício. III A oxidação do silício deve ser realizada antes da deposição da camada de nitreto de silício, a fim de impedir a oxidação do nitreto de silício. A alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira é (são)Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
As propriedades de um filme depositado por spin-on NÃO dependem do seguinte parâmetro:
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Considere as afirmativas abaixo.
I Para uma mesma concentração de dopante, o polissilício apresenta resistividade maior que o silício epitaxial. II Em um polissilício dopado, os dopantes tendem a se difundir para o interior do grão, quando o silício dopado é aquecido. III Os portadores se difundem rapidamente pelo contorno de grão. Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
A principal técnica utilizada na deposição de polissilício é
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As propriedades e a estrutura do polissilício dependem fortemente das condições de deposição. Assinale a alternativa que apresenta uma condição que NÃO influencia nas propriedades e na estrutura do polissilício depositado, considerando a técnica mais utilizada para a deposição de possilício.
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Abaixo são relacionadas 3 (três) técnicas de dopagem.
I Dopagem por difusão. II Dopagem in situ. III Implantação iônica. Assinale a alternativa com a(s) técnica(s) utilizada(s) para a dopagem de polissilício.Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Dentre as aplicações abaixo, assinale a que NÃO corresponde a uma aplicação de spin-on.
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