Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

Que filmes são depositados por LPCVD (deposição química a partir da fase vapor executada em baixa pressão)?

1 -W e SiO₂.

2 - SiO₂ e Si₃N₄.

3 - Si₃N₄ e silício policristalino.

4 - Si₃N₄, SiO₂ e silício policristalino.

• A. Apenas 2 e 3.
• B. Apenas 3 e 4.
• C. Apenas 1, 2 e 3.
• D. Apenas 2, 3 e 4.
• E. 1, 2, 3, e 4.

No estrangulamento do filme, na Eletromigração, ocorre

• A. um aumento de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• B. uma diminuição de temperatura que acelera o processo pelo aumento de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• C. uma diminuição de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• D. um aumento de temperatura que acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.
• E. uma diminuição de temperatura que não acelera o processo pela diminuição de mobilidade dos átomos do metal, levando o filme à ruptura.

Qual a técnica utilizada para medir a espessura e o índice de refração de filmes de óxido de Si, de nitreto de Si e de silício policristalino, usados na tecnologia CMOS?

• A. Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
• B. Microscopia eletrônica de varredura (SEM).
• C. Microscopia de força atômica (AFM).
• D. Elipsometria.
• E. Perfilometria.

Qual a técnica usada para a obtenção de uma imagem em secção transversal, com alta resolução, de uma camada de SiO₂ sobre substrato Si, identificando as estruturas amorfa e cristalina do SiO₂ e Si, respectivamente.

• A. Microscopia eletrônica de transmissão (TEM).
• B. Microscopia eletrônica de varredura (SEM).
• C. Microscopia de força atômica (AFM).
• D. Elipsometria.
• E. Perfilometria.

Leia as afirmativas abaixo acerca do processo de difusão.

I – Quanto menor o coeficiente de difusão, maior a temperatura.

II – De maneira geral, o coeficiente de difusão de átomos intersticiais é maior que o de átomos substitucionais.

III – A taxa de difusão em regime estacionário é proporcional ao gradiente de concentração.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) verdadeira(s).

• A. Apenas I é verdadeira.
• B. Apenas II é verdadeira.
• C. Apenas III é verdadeira.
• D. Apenas I e III são verdadeiras.
• E. Apenas II e III são verdadeiras.

Leia atentamente as afirmativas abaixo:

I – O modelo de Deal e Grove se aplica à oxidação do silício nos estágios iniciais.

II – Pelo modelo de Deal e Grove, a oxidação ocorre após a difusão da espécie oxidante pelo óxido de silício até a interface do óxido de silício com o silício (interface Si/SiO₂), em que ocorre a reação de oxidação do silício.

III – O modelo de Deal e Grove aplica-se apenas à oxidação úmida.

IV – O modelo de Deal e Grove se aplica ao crescimento de óxido de silício no silício para espessuras do óxido de silício, a partir de 300 ângstrons.

Assinale a alternativa com as afirmativas corretas.

• A. Apenas I e IV são verdadeiras.
• B. Apenas II e III são verdadeiras.
• C. Apenas III e IV são verdadeiras.
• D. Apenas II e IV são verdadeiras.
• E. Apenas II, III e IV são verdadeiras.

Leia as afirmativas abaixo.

I – A dopagem de um semicondutor com elementos da família V-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

II – A dopagem de semicondutores com elementos da família III-A da tabela periódica dá origem a semicondutores do tipo P.

III – Em semicondutores do tipo N há maior concentração de elétrons livres que em um semicondutor intrínseco.

Assinale a opção que apresenta a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. Apenas II e III estão corretas.

Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.

• A. Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato auto-alinhadas.
• B. Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato desalinhadas.
• C. Esses materiais jamais formam estruturas de contato auto-alinhadas.
• D. Não existe vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
• E. Esses silicetos têm baixo ponto de fusão e, por isso, grande condutividade.

• A. 14 horas.
• B. 1390 horas.
• C. 5 minutos.
• D. 1390 segundos.
• E. 1390 minutos.

Abaixo estão citadas diferentes técnicas de análise de materiais. Assinale a técnica que não pode ser utilizada para levantamento do perfil de dopagem em semicondutores.

• A. Elipsometria espectral.
• B. Espectrometria de massa por íons secundários.
• C. Levantamento do perfil capacitância-voltagem.
• D. Resistência ao espalhamento.
• E. Fotoluminescência.