Questões sobre Princípios de Ciências dos Materiais

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Temperatura dos elétrons no plasma é maior em qual descarga?

  • A. ICP.
  • B. Acoplamento capacitivo.
  • C. Atmosférica.
  • D. Plasma remoto.
  • E. ECR.

Anisotropia em processos de corrosão por plasma é consequência de:

  • A. Ativação química dos gases por plasma.
  • B. Aquecimento de amostra.
  • C. Aquecimento de gás.
  • D. Aceleração de elétrons.
  • E. Formação de bainha e self-bias.

Para aumentar a anisotropia de corrosão por plasma RIE, é necessário:

  • A. Diminuir a potência e aumentar a pressão de gás.
  • B. Aumentar a frequência de gerador.
  • C. Diminuir a frequência de gerador.
  • D. Aumentar potência e diminuir a pressão de gás.
  • E. Aumentar potência e aumentar a pressão de gás.

Em processo RIE, com aumento da potência de gerador:

  • A. Aumenta a seletividade e taxa de corrosão.
  • B. Aumenta a anisotropia e a taxa de corrosão.
  • C. Melhora a seletividade de corrosão.
  • D. Diminui a taxa de corrosão.
  • E. Diminui a temperatura da amostra.

Qual a técnica utilizada para medidas de taxa de corrosão em amostras?

  • A. Espectrometria de massa.
  • B. Perfilometria.
  • C. Elipsometria
  • D. Espectroscopia por emissão ótica.
  • E. Reflectometria.

Qual o intervalo típico da pressão de gases utilizados para corrosão tipo RIE?

  • A. 1-10 Torr.
  • B. 0,1-10 mTorr.
  • C. 10-100 mTorr.
  • D. 100-760 Torr.
  • E. 1- 10 Torr.

Qual o intervalo típico de energia de íons em processo RIE?

  • A. 1-10 eV.
  • B. 10-100 eV.
  • C. 100-1000 eV.
  • D. 1-100 eV.
  • E. 1 – 1000 eV.

As principais técnicas de caracterização de plasmas de corrosão são:

  • A. Elipsometria e perfilometria.
  • B. Perfilometria, XPS e volatilmetria.
  • C. Espectrometria de massas.
  • D. Espectroscopia de emissão ótica e sondas elétricas tipo Langmuir.
  • E. XPS e MSS.

Quais os principais produtos voláteis formados durante processo de corrosão de Si em plasmas fluorados?

  • A. SiF4
  • B. SiF2
  • C. SiF3
  • D. SiF
  • E. SiF6

Qual a definição da energia de band gap de materiais semicondutores ou isolantes?

  • A. É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
  • B. É a energia da banda de condução.
  • C. É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.
  • D. É a variação de energia entre o limite mínimo da banda de condução e o limite máximo da banda de valência.
  • E. É a variação de energia entre o limite máximo da banda de condução e o limite mínimo da banda de valência.
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