Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Para a execução de uma implantação de íons, os seguintes parâmetros de processo devem ser selecionados:

• A. Corrente elétrica e Campo Elétrico.
• B. Energia e dose do feixe de íons, massa do íon e ângulos de inclinação e rotação da amostra.
• C. Energia e dose do feixe de elétrons, massa do elétron e ângulo de inclinação da amostra.
• D. Corrente e dose do feixe de íons, massa do elétron e sem ângulo de inclinação da amostra.
• E. Corrente e dose do feixe de elétrons, massa do íon e sem ângulo de inclinação da amostra.

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

• A. junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
• B. junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
• C. junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
• D. junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
• E. junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.

Entre as principais vantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Pode ser executado em temperatura ambiente.

2) Apresenta controle preciso da profundidade de penetração do íon na amostra implantada.

3) Apresenta excelente controle da concentração de íons inseridos na amostra implantada.

Quais dessas vantagens estão corretamente identificadas?

• A. Apenas a primeira.
• B. Apenas a segunda.
• C. Apenas a terceira.
• D. Todas as três.
• E. Apenas duas delas.

Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes

2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs

3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado

Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:

• A. Apenas a primeira.
• B. Apenas a segunda.
• C. Apenas a terceira.
• D. Apenas duas delas.
• E. Todas as três.

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará mais em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a maior profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

• A. ⁷⁵As⁺,
• B. ³¹P⁺
• C. ¹¹B⁺
• D. Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si.
• E. Os íons de ³¹P⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si.

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará menos em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a menor profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

• A. ⁷⁵As⁺
• B. ³¹P⁺
• C. ¹¹B⁺
• D. Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si
• E. Os íons de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si

Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?

• A. Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• B. Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• C. Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• D. Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
• E. Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.

• A. As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si.
• B. A implantação de íons de ³¹P⁺
• C. A implantação de íons de ¹¹B⁺
• D. A implantação de íons de ⁷⁵As⁺
• E. As implantações de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de ³¹P⁺ destruirá mais.

Qual processo deve ser executado para corrigir os danos causados pela implantação de íons em lâmina de Si?

• A. Oxidação térmica seca.
• B. Recozimento térmico em ambiente inerte.
• C. Deposição a partir da fase vapor.
• D. Oxidação térmica úmida.
• E. Tratamento térmico em ambiente de oxigênio.

Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?

• A. Ambiente inerte com gás nitrogênio.
• B. Ambiente em vácuo com pressão em torno de 1 mTorr.
• C. Ambiente em vácuo em pressão atmosférica.
• D. Ambiente inerte com gás argônio.
• E. Ambiente em vácuo com pressão menor que 10^-6 Torr.