Lista completa de Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) para resolução totalmente grátis. Selecione os assuntos no filtro de questões e comece a resolver exercícios.
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Dentro do alvo (lâmina), os íons implantados sofrem colisões múltiplas com os elétrons e com os núcleos dos átomos da estrutura do substrato (lâmina). Essas colisões reduzem gradualmente a energia dos íons até freá-los totalmente. As reduções da energia dos íons incidentes devido às colisões com os elétrons e com os núcleos são denominadas, respectivamente:
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para altas energias do feixe iônico incidente?
Engenharia Elétrica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para baixas energias do feixe iônico incidente?
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Engenharia Elétrica - Eletrônica Analógica - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Um transistor de potência, para o qual a temperatura máxima da junção TJmáx = 150 ºC, é capaz de dissipar 50 W à temperatura de 50 ºC. Considerando que o transistor foi conectado a um dissipador de calor usando uma arruela com resistência térmica igual a 0,5 ºC/W, a temperatura no dissipador necessária para assegurar a operação segura a 30 W e o comprimento do dissipador são, respectivamente, iguais a: (considere a resistência térmica do ar ambiente em repouso igual a 4 °C/W e a temperatura ambiente igual a 15 °C)
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