Questões de Engenharia Elétrica da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)

• A. 25 ns e 75 ns.
• B. 2,5 ns e 7,5 ns.
• C. 5 ns e 90 ns.
• D. 50 ns e 150 ns.
• E. 45 ns e 45 ns.

São tipos de plasma de alta densidade:

• A. ICP e ECR.
• B. ICP e barril.
• C. ICP e por acoplamento capacitivo.
• D. Capacitivo e barril.
• E. Plasma remoto.

Sobre a fabricação de um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”), pode-se afirmar que a seguinte etapa desse processo é dita auto-alinhada:

• A. “Sputtering”.
• B. Oxidação.
• C. Difusão.
• D. Deposição de vapor químico.
• E. “Etching”.

Para processos tipo RIE de corrosão de Si em descargas assimétricas, qual dos eletrodos é utilizado para fixar a lâmina?

• A. De área maior.
• B. De área menor.
• C. Qualquer dos dois.
• D. Depende da potência da descarga.
• E. Depende da pressão do gás.

• A. 0,2 V.
• B. 3 V.
• C. 2 V.
• D. 0,6 V.
• E. 0,06V.

Qual o intervalo típico de densidade de cargas elétricas (elétrons e íons) em plasmas de alta densidade?

• A. 10⁹- 10¹⁰ cm^-3
• B. 10¹¹- 10¹² cm^-3
• C. 10⁷- 10⁹ cm^-3
• D. Superior a 10¹³ cm^-3
• E. Inferior a 10⁸ cm^-3

• A. 16 ìm.
• B. 32 ìm.
• C. 64 ìm.
• D. 320 ìm.
• E. 160 ìm.

Quais as principais vantagens de plasmas de alta densidade tipo ICP (acoplamento indutivo) em comparação com plasmas com acoplamento capacitivo, para processos de corrosão?

• A. Maior aquecimento de amostras durante a corrosão.
• B. Controle independente de densidade do plasma e da autopolarização (self-bias).
• C. Taxas de corrosão mais altas.
• D. Danos em materiais menores.
• E. Pressão de gás menor.

Um mecanismo de falha de inversores CMOS (Metal-Óxido-Semicondutor Complementar) caracteriza-se pela formação de um retificador controlado de silício (SCR) biestável a partir do acoplamento cruzado de transistores “npn” e “pnp” parasitas, desenvolvendo caminhos de baixa resistência entre o dreno e o corpo dos inversores que normalmente são aterrados. É, então, estabelecida uma malha de realimentação que faz circular uma corrente elevada entre o dreno e o corpo, resultando no desligamento da fonte de alimentação ou no derretimento dos terminais de alimentação. Tal mecanismo de falha denominase:

• A. Eletromigração.
• B. Sobrecarga elétrica.
• C. Auto-aquecimento.
• D. Latch-up.
• E. Portadores “quentes” (“hot carriers").

A remoção de fotorresiste por plasma (Ashing) é realizada utilizando descarga em quais gases?

• A. Cl₂
• B. SF₆
• C. CF₄
• D. O₂
• E. N₂