Questões de Engenharia Eletrônica do ano 2007

Identifique P1, Q1 e Q2

 

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

O ensaio que pode ser considerado "plena carga" foi o realizado com carga de

• A. 1,40 kgf.m
• B. 1,00 kgf.m
• C. 0,70 kgf.m
• D. 0,35 kgf.m
• E. 0 kgf.m

Com carga de 0,70 kgf.m, a eficiência e o  valem, respectivamente e aproximadamente,

• A. 23% e 0,83
• B. 43% e 0,43
• C. 43% e 0,63
• D. 63% e 0,43
• E. 83% e 0,23

Considere um circuito RLC paralelo formado por L = 10mH, C = 220nF e R = 470kΩ. A freqüência de ressonância vale, aproximadamente,

• A. 3,4 kHz
• B. 3,4 MHz
• C. 34 Hz
• D. 34 MHz
• E. 340 kHz

O valor aproximado da freqüência de oscilação é

• A. 8,6 kHz
• B. 86 Hz
• C. 860 Hz
• D. 12 kHz
• E. 120 kHz

A função de R1 e R2 é

• A. limitar a corrente de coletor dos transistores quando eles estiverem cortados.
• B. limitar a corrente de coletor dos transistores quando eles estiverem saturados.
• C. garantir que a tensão V_CE de corte dos transistores seja igual a V_CC.
• D. garantir a descarga dos capacitores no terminal V_CC da fonte de alimentação.
• E. forçar o estado de saturação dos transistores quando os capacitores ligados em suas bases estiverem descarregados.

Considere o trecho de programa da família 8051.

MOV A, #3FH

INC A

MOV P1,A

Ao final, o port P1, em binário, terá

• A. 00110000
• B. 01001111
• C. 01000001
• D. 01000000
• E. 11000011

Relacione os parâmetros híbridos do transistor emissor comum com os seus respectivos significados.

I. hoe                 a. ganho direto de corrente

II. hie                  b. admitância de saída

III. hre                c. impedância de entrada

IV. hfe                d. ganho reverso de tensão

• A. I-d; II-c; III-b; IV-a
• B. I-c; II-a; III-b; IV-d
• C. I-c; II-b; III-d; IV-a
• D. I-b; II-c; III-d; IV-a
• E. I-b; II-d; III-a; IV-c

O número binário (10100111) equivale, respectivamente, nas bases hexadecimal e decimal, a

• A. A7 e 167
• B. A9 e 17
• C. B3 e 267
• D. A7 e 67
• E. 3D e 147

No circuito ao lado, o transistor de efeito de campo MOSFET do tipo enriquecimento é utilizado como chave, permitindo ou não a passagem de corrente pela carga, que, no caso, é um resistor com resistência igual a R_L. O transistor possui tensão de limiar (threshold) de valor V_t e V_I é a tensão de controle do circuito. Acerca das características de operação desse circuito, julgue os itens subseqüentes.

O MOSFET do tipo enriquecimento possui um canal que é fisicamente implantado, por meio de técnicas de dopagem.

• C. Certo
• E. Errado