Lista completa de Questões de Engenharia Eletrônica da Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) para resolução totalmente grátis. Selecione os assuntos no filtro de questões e comece a resolver exercícios.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
As afirmativas abaixo dizem respeito aos semicondutores:
1. O silício puro é chamado de semicondutor intrínseco, enquanto que o silício dopado é chamado de semicondutor extrínseco.
2. À medida que a dopagem do semicondutor aumenta, a sua resistência de corpo aumenta.
3. A dopagem de cristais de silício é feita para diminuir tanto o número de elétrons livres quanto o número de lacunas.
4. Nos semicondutores tipo N os cristais de silício puro são acrescentados de átomos pentavalentes.
Está(ão) correta(s):
1, apenas.
1 e 2, apenas.
1 e 4, apenas.
1, 2 e 3, apenas.
2, 3 e 4, apenas
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
A figura abaixo ilustra um transistor bipolar npn. A respeito das regiões indicadas na figura é correto afirmar
Os portadores minoritários do emissor são os elétrons
O coletor é levemente dopado
A região do coletor dissipa menos calor do que a base ou o emissor.
A dopagem da base é intermediária entre as dopagens do emissor e do coletor
As camadas de depleção formadas nas junções não possuem a mesma largura.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
Uma fonte de tensão de 4,5 V polariza diretamente um diodo. Se o resistor limitador de corrente tiver resistência igual a 200 Ω e a corrente que passar pelo diodo for de 12 mA, a tensão no diodo será de:
– 2,1 V
2,4 V
2,1 V
– 2,4 V
3,0 V
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
Qual a freqüência crítica de uma rede de atraso, sem a resistência da fonte, onde o capacitor é de 2,3 µF e o resistor é de 1200 Ω?
57,7 Hz
0,02 Hz
2.400 Hz
74,3 Hz
0,8 Hz
Engenharia Eletrônica - Geral - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
Em relação a circuitos redes de avanço é incorreto afirmar:
Em relação a circuitos redes de avanço é incorreto afirmar:
Para freqüências altas a tensão de saída é praticamente igual à tensão de entrada
A freqüência de corte é aquela para a qual a reatância capacitiva é igual à resistência
Na freqüência de corte a tensão de saída é 0,707 vezes a tensão de entrada
No ponto de corte a potência da carga é a metade do seu valor máximo.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
Qual a corrente no resistor de 37 §Ù do circuito abaixo?
5,2 A
3,6 A
6,2 A
0,8 A
3,1 A
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
Qual a corrente Norton do circuito abaixo?
0,9 A
1,3 A
0,8 A
1,0 A
0,6 A
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
As igualdades abaixo dizem respeito ao circuito acima:
1. IRA +IRB + IRD = 0
2. IRA + IRC = 0
3. RA = IRB
4. IRB = IRD
Está(ão) incorreta(s):
3, apenas
2 e 3, apenas.
1, 2 e 3, apenas.
1, 3 e 4, apenas
2, 3 e 4, apenas.
Engenharia Eletrônica - Eletrônica de Potência - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
Qual a corrente que circula pelo resistor de 3 §Ù do circuito abaixo?
200 mA
140 mA
1.600 mA
190 mA
160 mA
Engenharia Eletrônica - Engenharia de Áudio - Instituto de Planejamento e Apoio ao Desenvolvimento Tecnológico e Científico (IPAD) - 2006
Quando o amplificador operacional da figura abaixo trabalha dentro da região linear, qual será a forma de sua saída Vs se o ganho for de ?
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