Questões de Física

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase líquida é baseada em um diagrama de equilíbrio entre a fase líquida e a fusão congruente do sólido. A fusão congruente ocorre em qualquer temperatura na qual o sólido e o líquido tenham a mesma composição.

• C. Certo
• E. Errado

Um porão inundado deve ser evacuado com uma bomba que puxa a água de densidade ρ, por meio de uma mangueira de secção S, que passa por uma janela a uma altura H acima do piso. A potência que deve ter a bomba para a água escoar sem turbulência, com velocidade v, para fora do porão, será

• A.
• B.
• C.
• D.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase vapor é também chamada de deposição por vapor químico. Uma das modalidades de deposição por vapor químico mais usadas é a epitaxia por fase vapor de organometálicos.

• C. Certo
• E. Errado

Os satélites são hoje suportes fundamentais, tanto para as comunicações como para a pesquisa e para o monitoramento de nosso planeta.

Considere um desses satélites terrestres orbitando com perigeu de raio r_p e apogeu de raio r_a. A máxima velocidade desse satélite, se o raio e a massa da Terra são R e M, respectivamente, e a constante de gravitação universal é , é dada por

• A.
• B.
• C.
• D.

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

Nas técnicas de epitaxia por fase líquida e por fase vapor, o crescimento de cristais semicondutores ocorre em condições de não-equilíbrio, diferentemente da técnica de epitaxia por feixe molecular, que se desenvolve em condições de quase-equilíbrio, sendo que o principal processo é o da cinética da superfície.

• C. Certo
• E. Errado

A fotossíntese ocorrida nas florestas é o processo natural mais importante para a fixação do dióxido de carbono na Terra. Uma experiência de laboratório mostra que, ao iluminar-se um vegetal com luz de 500 nm, cada molécula de CO2 é reduzida por 10 fótons, na produção da glicose.

A quantidade de energia radiante necessária para produzir um mol de glicose na planta é, em Joule, aproximadamente

• A.

  8,2 x 10⁸.

• B.

  2,4 x 10⁸.

• C.

  1,4 x 10⁷.

• D.

  4,1 x 10⁵.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Das técnicas de epitaxia mais usadas, a técnica de epitaxia por feixe molecular é a que oferece um melhor controle na concentração dos dopantes e também é a que fornece interfaces das junções p-n mais abruptas.

• C. Certo
• E. Errado

Na reação de fusão nuclear ₁H² + ₁H³ → ₀n¹ + ₂He⁴ + 14,0 MeV, trítios são bombardeados por dêuterons com 2,0 Me , resultando no espalhamento de nêutrons, perpendiculares à direção original dos dêuterons, e partículas alfa, liberando 14,0 Me de energia. A energia com que as partículas alfa serão emitidas, em Me , será igual a

• A. 1,0.
• B. 4,0.
• C. 8,0.
• D. 12,0.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A técnica de difusão de impurezas é mais utilizada para a dopagem em semicondutores compostos, tal como o arseneto de gálio, e menos utilizada para dopagem em semicondutores simples, tal como o silício.

• C. Certo
• E. Errado

Uma bola, largada de uma altura h acima de um piso, com o qual o coeficiente de restituição é ε, colide sucessivas vezes com esse piso. Admitindo-se a homogeneidade da bola e do piso, de modo que as restituições sejam verticais, a distância total que a bola percorrerá até parar sobre o piso será

• A.
• B.
• C.
• D.