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A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.
Uma célula solar consiste basicamente de uma junção p-n rasa com contatos ôhmicos finos na superfície. Esses contatos servem para a coleta dos portadores de carga, contudo, eles fornecem uma resistência em série grande, o que, muitas vezes, acarreta diminuição da eficiência da célula.
O circuito resistivo ilustrado acima é alimentado por uma fonte de corrente contínua de valor nominal 10 mA. Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.
A corrente total através do resistor de 2 k é I 1 – I 2 = 7 mA.
A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.
Ao se examinar a curva corrente-voltagem de uma célula solar, percebe-se que o fator de preenchimento está relacionado diretamente ao valor da resistência em série devida aos contatos ôhmicos finos na superfície da célula. O fator de preenchimento aumenta quando a resistência em série aumenta.
O circuito resistivo ilustrado acima é alimentado por uma fonte de corrente contínua de valor nominal 10 mA. Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.
A tensão sobre a fonte de corrente é V A = 26 V.
A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.
No caso de uma célula solar de junção p-n, é esperado que a corrente de saturação reversa cresça à medida que a célula é iluminada. Isso acontece porque a aplicação de uma polarização reversa diminui a altura da barreira de energia na interface da junção, de modo a facilitar a passagem de corrente.
O circuito resistivo ilustrado acima é alimentado por uma fonte de corrente contínua de valor nominal 10 mA. Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.
A soma das potências dissipadas por todos os resistores do circuito é P R = 240 mW.
Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.
O processo de crescimento cristalino por epitaxia por feixe molecular consiste da adsorção dos átomos constituintes, da sua dissociação e migração na superfície e, finalmente, da sua incorporação, resultando no crescimento.
Um gerador de tensão senoidal é acoplado a uma associação em série de um resistor de 2 k e um capacitor de 10 µF, conforme ilustrado na figura acima. Sabendo-se que a impedância equivalente percebida pelo gerador é Z i = (2 – 1) k, em que j é a unidade imaginária, julgue os seguintes itens.
A freqüência da tensão senoidal do gerador é f = (50/) MHz.
Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.
As temperaturas dos substratos durante o crescimento por epitaxia por feixe molecular devem ser mantidas abaixo da temperatura de evaporação congruente do composto que se deseja crescer.
Um gerador de tensão senoidal é acoplado a uma associação em série de um resistor de 2 k e um capacitor de 10 µF, conforme ilustrado na figura acima. Sabendo-se que a impedância equivalente percebida pelo gerador é Z i = (2 – 1) k, em que j é a unidade imaginária, julgue os seguintes itens.
Adotando-se como referência a fase da tensão senoidal do gerador, a amplitude e a fase da corrente i(t) em regime permanente são, respectivamente
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