Questões de Física

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

O processo de difusão envolve a substituição de um átomo da rede pelo átomo dopante. Esse processo é geralmente muito rápido e pode ser feito à temperatura ambiente.

• C. Certo
• E. Errado

Uma haste homogênea é soldada com outra de mesmo comprimento, mas de densidade três vezes maior. O conjunto é então apoiado sobre um cutelo até que fique equilibrado horizontalmente e seccionado na posição de apoio. A relação entre os pesos de cada parte será

• A.
• B.
• C.
• D. 1

A BR282 entre as cidades de Lages e Florianópolis em Santa Catarina tem uma extensão de 200 km. Qual a alternativa apresenta a velocidade média que um carro deve desenvolver para que faça o percurso da BR 282 entre as duas cidades em um tempo total de 120 minutos?

• A. 10 km/h.
• B. 50 km/h.
• C. 100 km/h.
• D. 200 km/h.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Um elemento dopante que seja capaz de dopar um mesmo semicondutor composto tanto n quanto p é chamado de anfótero.

• C. Certo
• E. Errado

A compreensão da constituição da atmosfera dos planetas está estreitamente ligada à impossibilidade de as moléculas escaparem do campo gravitacional por eles produzido, o que nos permite formular um modelo simples, comparando a velocidade média quadrática das moléculas de certo gás, na temperatura absoluta T da atmosfera do planeta, com a velocidade de escape do campo gravitacional deste.

Utilizando esse modelo, pode-se estimar que o raio mínimo que deve ter um determinado planeta, de densidade ρ, para que sua atmosfera possa conter um gás de massa molecular M, é dado por

• A.
• B.
• C.
• D.

Um médico determinou a seu paciente que o mesmo andasse 40 minutos (min) por dia. Se ao andar a velocidade média do paciente for de 180 m/min, qual será a distancia percorrida por este paciente após 40 minutos de caminhada?

• A. 500 m.
• B. 1200 m.
• C. 7200 m.
• D. 80000 m.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Para que possa ser evaporado pela técnica de epitaxia por feixe molecular, o dopante deve possuir uma pressão de vapor muito baixa, uma vez que a dopagem é feita em condições de ultra-alto vácuo.

• C. Certo
• E. Errado

Um móvel se desloca com velocidade constante de 50 m/s. Em um determinado instante o mesmo fica sujeito a uma aceleração constante de 10 m/s². Qual será sua velocidade após 5s de aceleração?

• A. 75 m/s.
• B. 100 m/s.
• C. 150 m/s.
• D. 80 m/s.

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A implantação iônica é a técnica de dopagem mais usada na fabricação de dispositivos eletrônicos, tais como o transistor de efeito de campo de junção metal-semicondutor. Tal técnica consiste da projeção de íons de alta energia sobre a superfície do substrato.

• C. Certo
• E. Errado

Um atleta nas olimpíadas venceu a prova de atletismo dos 100m livres com um tempo de 8,75s. Considerando que este atleta partiu do repouso qual foi a velocidade média deste atleta para percorrer os 100m neste tempo?

• A. 9,12 m/s.
• B. 15,14 m/s.
• C. 12,12 m/s.
• D. 10 m/s.