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Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.
O fato de ânions e cátions possuírem diferentes dinâmicas de adsorção sobre o mesmo substrato é devido à temperatura do mesmo.
Uma onda eletromagnética plana e linearmente polarizada, esquematizada pelo feixe k i , paralelo ao plano xy, conforme ilustrado acima, incide na interface entre dois meios lineares e isotrópicos caracterizados pelos índices de refração n 1 e n 2 . Designando por os ângulos entre a normal à interface e os sentidos dos vetores de onda dos feixes incidente (k i ), refletido (k r ) e refratado (k t ), respectivamente, julgue os itens que se seguem.
No caso de uma onda eletromagnética incidente do tipo TE (transversal elétrica), os vetores de campo elétrico E dos feixes incidente, refletido e refratado são todos paralelos ao plano xy. Contrariamente, para uma onda eletromagnética incidente do tipo TM (transversal magnética), os vetores campo magnético H dos feixes incidente, refletido e refratado são perpendiculares ao plano xy.
Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.
São exemplos de processos de deposição por vapor físico: sublimação, epitaxia por feixe molecular, sputtering e epitaxia por fase vapor.
Uma onda eletromagnética plana e linearmente polarizada, esquematizada pelo feixe k i , paralelo ao plano xy, conforme ilustrado acima, incide na interface entre dois meios lineares e isotrópicos caracterizados pelos índices de refração n 1 e n 2 . Designando por os ângulos entre a normal à interface e os sentidos dos vetores de onda dos feixes incidente (k i ), refletido (k r ) e refratado (k t ), respectivamente, julgue os itens que se seguem.
Com respeito aos ângulos de reflexão () e refração (), as seguintes relações são válidas: e
Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.
A adsorção física é caracterizada por um estado precursor fracamente ligado e móvel.
A figura acima mostra um impulso unitário X(s) = 1 [V] aplicado nos terminais de entrada de um sistema dinâmico cuja função de transferência é H(s). A transformada de Laplace Y(s) do sinal observado nos terminais de saída possui um zero em s = -2, e pólos em s 1 = 0, s 2 = - 1 e s 3 = -3. Sabendo-se que Y(1) = 3/4 [V], julgue os itens subseqüentes.
A função de transferência do sistema dinâmico
Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.
A adsorção química é realizada por meio de interações de Van der Waals e não forma ligação química.
A figura acima mostra um impulso unitário X(s) = 1 [V] aplicado nos terminais de entrada de um sistema dinâmico cuja função de transferência é H(s). A transformada de Laplace Y(s) do sinal observado nos terminais de saída possui um zero em s = -2, e pólos em s 1 = 0, s 2 = - 1 e s 3 = -3. Sabendo-se que Y(1) = 3/4 [V], julgue os itens subseqüentes.
Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.
O processo de luminescência é chamado de: fotoluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado a partir da injeção de fótons; eletroluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado por elétrons energéticos.
A figura acima mostra um impulso unitário X(s) = 1 [V] aplicado nos terminais de entrada de um sistema dinâmico cuja função de transferência é H(s). A transformada de Laplace Y(s) do sinal observado nos terminais de saída possui um zero em s = -2, e pólos em s 1 = 0, s 2 = - 1 e s 3 = -3. Sabendo-se que Y(1) = 3/4 [V], julgue os itens subseqüentes.
As constantes de tempo do sistema dinâmico são J1 = 1 [s] e J2 = 1/3 [s].
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