Questões de Física do ano 2008

Acerca de sistemas de vácuo, julgue os itens que se seguem.

A bomba de sorção é feita de um corpo de aço inox com palhetas de cobre internas para facilitar a transferência de calor para a carga de zeólitas. As zeólitas são cerâmicas muito porosas que conseguem absorver e adsorver grandes quantidades de gás de um sistema quando o recipiente de aço inox é esfriado com nitrogênio líquido.

• C. Certo
• E. Errado

Acerca de sistemas de vácuo, julgue os itens que se seguem.

As bombas de vácuo mecânicas não podem ser usadas em sistemas que requeiram um ambiente livre de impurezas e contaminantes, uma vez que a possibilidade de injeção de óleo nesse sistema é grande.

• C. Certo
• E. Errado

Acerca de sistemas de vácuo, julgue os itens que se seguem.

Em sistemas onde o ultra-alto vácuo é necessário, sempre existe a possibilidade de vazamentos. Uma forma de detectar vazamentos pequenos seria espirrar um pouco de acetona no local de que se desconfia que o vazamento esteja ocorrendo. Isso é feito porque a acetona em contato com a baixa pressão se congela e pode obstruir o ponto que está vazando.

• C. Certo
• E. Errado

Acerca de sistemas de vácuo, julgue os itens que se seguem.

A acetona pode ser empregada para a detecção de grandes vazamentos em câmaras de vácuo usadas para crescimento epitaxial de semicondutores. A molécula de acetona entra em contato com a baixa pressão através do lugar do vazamento e se congela, fechando temporariamente esse ponto. Contudo, após certo tempo, tal molécula é sugada para dentro do sistema, ocasionando um aumento de pressão, indicativo de que o vazamento continua e se situa exatamente naquele lugar.

• C. Certo
• E. Errado

Acerca de sistemas de vácuo, julgue os itens que se seguem.

O gás hélio pode ser usado na detecção de vazamentos muito pequenos em câmaras de ultra-alto vácuo, pois sua molécula é pequena. Quando passa pelo vazamento e entra no sistema, esse gás é facilmente detectado por um espectrômetro de massa que esteja acoplado à câmara de ultra-alto vácuo, demonstrando que naquele lugar existe um vazamento que permitiu a entrada desse gás.

• C. Certo
• E. Errado

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase líquida é baseada em um diagrama de equilíbrio entre a fase líquida e a fusão congruente do sólido. A fusão congruente ocorre em qualquer temperatura na qual o sólido e o líquido tenham a mesma composição.

• C. Certo
• E. Errado

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

A técnica de epitaxia por fase vapor é também chamada de deposição por vapor químico. Uma das modalidades de deposição por vapor químico mais usadas é a epitaxia por fase vapor de organometálicos.

• C. Certo
• E. Errado

Epitaxia é o crescimento regular e orientado de um cristal simples com espessura e dopagem controladas sobre um cristal simples e similar, chamado substrato. As técnicas epitaxiais são usadas para realizar junções, camadas ultrafinas, multipoços quânticos etc. com controle excelente na pureza, dopagem e espessura dos filmes. Existem muitas técnicas de epitaxia, mas as mais comuns são as epitaxias por fase líquida, por fase vapor e por feixe molecular. Com referência a essas técnicas, julgue os itens a seguir.

Nas técnicas de epitaxia por fase líquida e por fase vapor, o crescimento de cristais semicondutores ocorre em condições de não-equilíbrio, diferentemente da técnica de epitaxia por feixe molecular, que se desenvolve em condições de quase-equilíbrio, sendo que o principal processo é o da cinética da superfície.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Das técnicas de epitaxia mais usadas, a técnica de epitaxia por feixe molecular é a que oferece um melhor controle na concentração dos dopantes e também é a que fornece interfaces das junções p-n mais abruptas.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A técnica de difusão de impurezas é mais utilizada para a dopagem em semicondutores compostos, tal como o arseneto de gálio, e menos utilizada para dopagem em semicondutores simples, tal como o silício.

• C. Certo
• E. Errado