Questões de Física do ano 2008

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

O processo de difusão envolve a substituição de um átomo da rede pelo átomo dopante. Esse processo é geralmente muito rápido e pode ser feito à temperatura ambiente.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Um elemento dopante que seja capaz de dopar um mesmo semicondutor composto tanto n quanto p é chamado de anfótero.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

Para que possa ser evaporado pela técnica de epitaxia por feixe molecular, o dopante deve possuir uma pressão de vapor muito baixa, uma vez que a dopagem é feita em condições de ultra-alto vácuo.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

A implantação iônica é a técnica de dopagem mais usada na fabricação de dispositivos eletrônicos, tais como o transistor de efeito de campo de junção metal-semicondutor. Tal técnica consiste da projeção de íons de alta energia sobre a superfície do substrato.

• C. Certo
• E. Errado

O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.

O substrato que foi dopado por implantação iônica normalmente se torna quase amorfo devido aos danos causados pelos íons de alta energia durante a implantação, e não há nada que possa ser feito para restaurar a sua condição cristalina anterior.

• C. Certo
• E. Errado

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

A emissão de luz de uma junção p-n polarizada diretamente é conhecida como efeito fotovoltaico.

• C. Certo
• E. Errado

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

No efeito fotovoltaico, há o aparecimento de uma tensão direta na junção iluminada.

• C. Certo
• E. Errado

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

O valor da tensão de circuito aberto é limitado pelo potencial de contato da junção p-n.

• C. Certo
• E. Errado

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

Os requisitos necessários para que um material seja usado para a confecção de células solares de junção p-n são: largura da banda de energia proibida próxima ao valor de energia do espectro solar, portadores de carga com alta mobilidade e baixo tempo de vida.

• C. Certo
• E. Errado

A respeito de células solares de junção p-n, julgue os itens seguintes.

A corrente de um diodo de junção p-n iluminada é composta inteiramente por portadores que se deslocam do lado p para o lado n.

• C. Certo
• E. Errado