Questões de Física do ano 2008

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

O processo de luminescência é chamado de: fotoluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado a partir da injeção de fótons; eletroluminescência, quando o par elétron-buraco é gerado por elétrons energéticos.

• C. Certo
• E. Errado

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

A fotoluminescência pode ser de dois tipos: fluorescente ou fosforescente, sendo que a primeira é um processo muito rápido e a segunda é um processo mais lento.

• C. Certo
• E. Errado

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

Fotoluminescência é uma poderosa ferramenta para a caracterização óptica de materiais semicondutores. Utilizando-a, é possível obter-se características de materiais semicondutores, tais como valor da energia da banda proibida, impurezas não-intencionais durante o crescimento do semicondutor e transições entre diferentes níveis de energia.

• C. Certo
• E. Errado

Acerca da caracterização óptica e química de semicondutores, julgue os próximos itens.

Um sistema para medidas de fotoluminescência deve consistir basicamente de: fonte de excitação, criostato com temperatura variável com prendedor de amostra acoplado, espectrômetro de varredura de alta resolução e sistema de detecção.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A mobilidade dos portadores pode ser determinada por medida Hall, em que o movimento dos portadores através da amostra é alterado pela força de Lorentz devido a um campo elétrico aplicado.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

O experimento de Haynes-Shockley é usado para determinar os parâmetros devido aos portadores minoritários, enquanto que o experimento de efeito Hall determina parâmetros devido aos portadores majoritários.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

As mobilidades dos portadores dependem fortemente de dois tipos de espalhamento que são influenciados pela temperatura. Em altas temperaturas, a mobilidade é limitada pelo espalhamento por impurezas, e em baixas temperaturas ela é limitada pelo espalhamento por fônons ópticos.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Considerando que a mobilidade do elétron em um semicondutor muito puro é de 200.000 cm² /V.s à temperatura de 4,2 K, é correto afirmar que a mobilidade desse mesmo elétron à temperatura ambiente será maior que 200.000 cm² /V.s.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Os portadores de carga em uma junção p-n podem formar dois tipos de corrente elétrica, uma devido à deriva dos portadores (causada pelo campo elétrico aplicado), e outra devido ao gradiente de concentração dos portadores, que é chamada de corrente de difusão.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Quando se realizam medidas de corrente-voltagem em um diodo, pode-se polarizá-lo de duas formas, direta ou reversa. A polarização direta é responsável por um aumento da barreira de energia na interface, aumentando também a largura da camada de depleção desse diodo.

• C. Certo
• E. Errado