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Para mostrar a seus alunos o funcionamento de aparelhos elétricos em circuitos, um professor faz uma montagem em série de duas lâmpadas incandescentes, dessas que se encontram nos supermercados, uma de 60W/120 e outra de 100W/120 , ligando-as na tomada de 120 da sala de aula. Ao fazer isso, os alunos deverão explicar que a lâmpada que acenderá com maior brilho será a de
Quanto ao funcionamento das bombas de vácuo iônica e de sublimação de titânio, julgue os próximos itens.
Uma bomba de sublimação de titânio é usada quando se necessita de vácuo da ordem de 10-5 torr.
Quanto ao funcionamento das bombas de vácuo iônica e de sublimação de titânio, julgue os próximos itens.
Uma bomba de sublimação de titânio consiste de filamentos (liga de titânio e tungstênio) que são aquecidos resistivamente. A fonte de titânio é aquecida a uma temperatura de sublimação de 1.500ºC. O bombeamento por sublimação baseia-se na ação absorvedora do titânio evaporado.
Acerca de sistemas de vácuo, julgue os itens que se seguem.
A seqüência correta de bombeamento para se conseguir o ultra-alto vácuo (aproximadamente 10-11 torr) é a seguinte: bombas de sorção; bombas iônicas; sublimação de titânio associado a um painel criogênico de nitrogênio líquido; bomba turbomolecular.
Acerca de sistemas de vácuo, julgue os itens que se seguem.
A bomba de sorção é feita de um corpo de aço inox com palhetas de cobre internas para facilitar a transferência de calor para a carga de zeólitas. As zeólitas são cerâmicas muito porosas que conseguem absorver e adsorver grandes quantidades de gás de um sistema quando o recipiente de aço inox é esfriado com nitrogênio líquido.
A fotossíntese ocorrida nas florestas é o processo natural mais importante para a fixação do dióxido de carbono na Terra. Uma experiência de laboratório mostra que, ao iluminar-se um vegetal com luz de 500 nm, cada molécula de CO2 é reduzida por 10 fótons, na produção da glicose.
A quantidade de energia radiante necessária para produzir um mol de glicose na planta é, em Joule, aproximadamente
8,2 x 108.
2,4 x 108.
1,4 x 107.
4,1 x 105.
O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.
Um elemento dopante que seja capaz de dopar um mesmo semicondutor composto tanto n quanto p é chamado de anfótero.
O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.
Para que possa ser evaporado pela técnica de epitaxia por feixe molecular, o dopante deve possuir uma pressão de vapor muito baixa, uma vez que a dopagem é feita em condições de ultra-alto vácuo.
O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.
A implantação iônica é a técnica de dopagem mais usada na fabricação de dispositivos eletrônicos, tais como o transistor de efeito de campo de junção metal-semicondutor. Tal técnica consiste da projeção de íons de alta energia sobre a superfície do substrato.
O processo de dopagem é um dos passos mais importantes na fabricação de muitos dispositivos eletrônicos e optoeletrônicos. As três técnicas mais comuns para dopagem em semicondutores são: crescimento epitaxial, difusão, implantação de íons. Julgue os itens subseqüentes, relativos a essas três técnicas de dopagem.
O substrato que foi dopado por implantação iônica normalmente se torna quase amorfo devido aos danos causados pelos íons de alta energia durante a implantação, e não há nada que possa ser feito para restaurar a sua condição cristalina anterior.
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