Questões sobre Elétrica

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Considerando que a mobilidade do elétron em um semicondutor muito puro é de 200.000 cm² /V.s à temperatura de 4,2 K, é correto afirmar que a mobilidade desse mesmo elétron à temperatura ambiente será maior que 200.000 cm² /V.s.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Os portadores de carga em uma junção p-n podem formar dois tipos de corrente elétrica, uma devido à deriva dos portadores (causada pelo campo elétrico aplicado), e outra devido ao gradiente de concentração dos portadores, que é chamada de corrente de difusão.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

Quando se realizam medidas de corrente-voltagem em um diodo, pode-se polarizá-lo de duas formas, direta ou reversa. A polarização direta é responsável por um aumento da barreira de energia na interface, aumentando também a largura da camada de depleção desse diodo.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A difração de raios X é uma ferramenta muito usada para a observação da superfície de um material, pois, como não possuem carga elétrica, os raios X podem interagir mais facilmente com o mesmo.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A difração de elétrons rasantes de alta energia é muito usada para a verificação in situ das condições de crescimento epitaxial de um material semicondutor. É uma medida feita em tempo real e fornece informação sobre a desoxidação do substrato, a velocidade de crescimento e o modo de crescimento.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A microscopia de força atômica oferece a possibilidade de observação da superfície do material em escalas nanométricas somente para materiais condutores e semicondutores, enquanto que a microscopia por tunelamento pode examinar as topografias da superfície de materiais condutores e não-condutores.

• C. Certo
• E. Errado

A operação de quase todos os dispositivos optoeletrônicos baseiase na criação ou aniquilação do par elétron-buraco. A formação desse par resulta da passagem de um elétron da banda de valência para a banda de condução, deixando na banda de valência um estado vazio, chamado de buraco. A partir dessas informações, julgue os itens que se seguem.

O par elétron-buraco pode ser criado, a princípio, por qualquer partícula energética incidente sobre o semicondutor, desde que esta tenha pelo menos energia igual à energia da banda proibida.

• C. Certo
• E. Errado

A operação de quase todos os dispositivos optoeletrônicos baseiase na criação ou aniquilação do par elétron-buraco. A formação desse par resulta da passagem de um elétron da banda de valência para a banda de condução, deixando na banda de valência um estado vazio, chamado de buraco. A partir dessas informações, julgue os itens que se seguem.

O processo pelo qual um par elétron-buraco pode ser criado a partir de incidência de luz sobre um semicondutor é chamado de absorção, pois fótons com energia suficiente são absorvidos pelo mesmo.

• C. Certo
• E. Errado

A operação de quase todos os dispositivos optoeletrônicos baseiase na criação ou aniquilação do par elétron-buraco. A formação desse par resulta da passagem de um elétron da banda de valência para a banda de condução, deixando na banda de valência um estado vazio, chamado de buraco. A partir dessas informações, julgue os itens que se seguem.

O processo de recombinação pode ser de dois tipos: recombinação radiativa, com emissão de luz; recombinação não-radiativa (sem emissão de luz). No processo nãoradiativo, não há perda de energia.

• C. Certo
• E. Errado

Um transformador de força trifásico de dois enrolamentos é submetido aos ensaios de curto-circuito e de circuito aberto para levantamento dos parâmetros principais do seu circuito equivalente. Com relação a esta situação, julgue os itens subseqüentes.

A relação de transformação do transformador é obtida do ensaio em curto-circuito.

• C. Certo
• E. Errado