Questões sobre Elétrica

O circuito resistivo ilustrado acima é alimentado por uma fonte de corrente contínua de valor nominal 10 mA. Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.

A corrente total através do resistor de 2 k é I 1 – I 2 = 7 mA.

• C. Certo
• E. Errado

O circuito resistivo ilustrado acima é alimentado por uma fonte de corrente contínua de valor nominal 10 mA. Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.

A tensão sobre a fonte de corrente é V _A = 26 V.

• C. Certo
• E. Errado

O circuito resistivo ilustrado acima é alimentado por uma fonte de corrente contínua de valor nominal 10 mA. Com base nessas informações, julgue os itens a seguir.

A soma das potências dissipadas por todos os resistores do circuito é P _R = 240 mW.

• C. Certo
• E. Errado

Um gerador de tensão senoidal é acoplado a uma associação em série de um resistor de 2 k e um capacitor de 10 µF, conforme ilustrado na figura acima. Sabendo-se que a impedância equivalente percebida pelo gerador é Z _i = (2 – 1) k, em que j é a unidade imaginária, julgue os seguintes itens.

A freqüência da tensão senoidal do gerador é f = (50/) MHz.

• C. Certo
• E. Errado

Um gerador de tensão senoidal é acoplado a uma associação em série de um resistor de 2 k e um capacitor de 10 µF, conforme ilustrado na figura acima. Sabendo-se que a impedância equivalente percebida pelo gerador é Z _i = (2 – 1) k, em que j é a unidade imaginária, julgue os seguintes itens.

Adotando-se como referência a fase da tensão senoidal do gerador, a amplitude e a fase da corrente i(t) em regime permanente são, respectivamente

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens que se seguem, referentes aos processos físicoquímicos envolvidos na incorporação de cátions e ânions durante o crescimento epitaxial de semicondutores compostos.

O fato de ânions e cátions possuírem diferentes dinâmicas de adsorção sobre o mesmo substrato é devido à temperatura do mesmo.

• C. Certo
• E. Errado

Uma onda eletromagnética plana e linearmente polarizada, esquematizada pelo feixe k _i , paralelo ao plano xy, conforme ilustrado acima, incide na interface entre dois meios lineares e isotrópicos caracterizados pelos índices de refração n ₁ e n ₂ . Designando por  os ângulos entre a normal à interface e os sentidos dos vetores de onda dos feixes incidente (k _i ), refletido (k _r ) e refratado (k _t ), respectivamente, julgue os itens que se seguem.

No caso de uma onda eletromagnética incidente do tipo TE (transversal elétrica), os vetores de campo elétrico E dos feixes incidente, refletido e refratado são todos paralelos ao plano xy. Contrariamente, para uma onda eletromagnética incidente do tipo TM (transversal magnética), os vetores campo magnético H dos feixes incidente, refletido e refratado são perpendiculares ao plano xy.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

A mobilidade dos portadores pode ser determinada por medida Hall, em que o movimento dos portadores através da amostra é alterado pela força de Lorentz devido a um campo elétrico aplicado.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

O experimento de Haynes-Shockley é usado para determinar os parâmetros devido aos portadores minoritários, enquanto que o experimento de efeito Hall determina parâmetros devido aos portadores majoritários.

• C. Certo
• E. Errado

Julgue os itens a seguir, relativos às técnicas de caracterização de superfícies e de caracterização elétrica de semicondutores.

As mobilidades dos portadores dependem fortemente de dois tipos de espalhamento que são influenciados pela temperatura. Em altas temperaturas, a mobilidade é limitada pelo espalhamento por impurezas, e em baixas temperaturas ela é limitada pelo espalhamento por fônons ópticos.

• C. Certo
• E. Errado