Questões de Química do ano 2012

O que é a litografia de três camadas?

• A. Litografia composta de camada de planarização, camada de barreira e camada fotossensível.
• B. Litografia composta de três camadas de fotorresiste depositadas sequencialmente.
• C. Processo litográfico para o desenvolvimento de dispositivos de três camadas tipo MOS.
• D. Litografia utilizada na fabricação de máscaras litográficas.
• E. Processo alternativo a fotolitografia com resistes não sensíveis à luz.

Como pode ser definida a sensibilidade em fotorresistes negativos?

• A. É definida como a quantidade de UV necessária a formação de imagem no fotorresiste.
• B. É a medição da intensidade de luz UV pelo tempo de exposição.
• C. É a medida da energia da fonte de UV.
• D. É a energia efetiva da linha g da lâmpada de UV.
• E. É a energia total da fonte de luz UV.

As coberturas antirrefletoras (ARC) em fotolitografia são utilizadas para

• A. reduzir as ondas estacionárias em fotorresistes.
• B. reduzir a dose do UV nos fotorresistes.
• C. diminuir a espessura dos fotorresistes.
• D. reduzir a sensibilidade dos fotorresistes.
• E. atuar como filtros de UV em fotorresistes.

O que significa CD (Critical Dimension) in microlitografia?

• A. A menor linha da máscara litográfica.
• B. A menor dimensão para fabricar um transistor MOS.
• C. A menor dimensão definida por processo litográfico.
• D. A menor espessura do fotorresiste.
• E. A maior espessura do fotorresiste.

Defina o termo stripping para litografia.

• A. Revelação do fotorresiste.
• B. Estabilização do fotorresiste.
• C. Completa remoção do fotorresiste.
• D. Etapa posterior à litografia para corrosão do substrato.
• E. Limpeza do substrato antes do spinning.

Que lei rege a revelação do fotorresiste?

• A. A difusão de Fickian ou Lei de Bruner’s.
• B. A lei de Lambert.
• C. A lei de Swelling.
• D. A lei de não linearidade de Raylleig.
• E. A lei da difusão de Mark-Houwink.

Quais as principais causas das ondas estacionárias nos fotorresistes?

• A. Pouca mobilidade das cadeias poliméricas no fotorresiste.
• B. Pouca difusão do foto-ácido.
• C. Espessura do fotorresiste.
• D. A difração nos limites das lentes e nas bordas das estruturas nas máscaras.
• E. Comprimento de onda utilizado.

Que fenômenos podem ocorrer no fotorresiste negativo após a exposição?

• A. Ativação do foto-ácido, cross-link, dissolução do polímero.
• B. Cross-link, polimerização, formação de grupos polares ou apolares, mudança do estado de oxidação dos íons.
• C. Ativação do foto-ácido, polimerização, mobilização das cadeias poliméricas.
• D. Dissolução do polímero, foto-ativação, difusão de íons.
• E. Inibição do foto-ácido, estabilização térmica, cross-link.

Quais as funções das curas no processamento do fotorresiste positivo, sotbake, PEB e hardbake respectivamente:

• A. Amolecimento do fotorresiste, uniformização da área exposta, endurecimento do fotorresiste.
• B. Amolecimento do fotorresiste, exposição do fotorresiste, endurecimento do fotorresiste.
• C. Uniformização da camada, endurecimento do fotorresiste, interrupção da revelação.
• D. Refluxo do fotorresiste, evaporação do solvente e inibição do foto-ácido.
• E. Evaporação do solvente e ativação do foto-ácido, refluxo do fotorresiste e inibição do foto-ácido com estabilização do fotorresiste.

Para verificar erros de alinhamento em dispositivos, podem ser utilizados dispositivos

• A. elétricos simples e medidas de resistência.
• B. observados do posicionamento da porta do transistor MOS.
• C. alternativos além das marcas de alinhamento.
• D. por interferometria ótica.
• E. por microscopia holográfica.