Questões de Química do ano 2012

Com base nesses dados, constata-se que a eficiência do ciclo será

• A. 2/13
• B. 13/2
• C. 1/4
• D. 0
• E. 1

Uma solução diluída de ácido sulfúrico foi empregada no pré-tratamento de material lignocelulósico por via ácida. Tal solução foi preparada diluindo-se 200 vezes uma solução de ácido sulfúrico, com concentração igual a 196 g/L.

Após o pré-tratamento ácido, seguiu-se uma etapa de filtração, em que foram obtidos 200 m³ de hidrolisado ácido rico em pentoses. Com o intuito de aproveitar esse hidrolisado para a produção de etanol de segunda geração a partir da fermentação das pentoses, realizou-se um tratamento visando à neutralização, empregando-se óxido de cálcio, sendo formado um precipitado branco. Após outra etapa de filtração para a remoção do precipitado, obteve-se o hidrolisado neutralizado e clarificado.

A partir desses dados e assumindo que a acidez do hidrolisado decorreu exclusivamente da dissociação total do ácido sulfúrico, conclui-se que o pH e a massa de precipitado formado na reação de neutralização foram, respectivamente,

• A. 0,2 e 27,2 kg
• B. 0,2 e 272 kg
• C. 2,0 e 88 kg
• D. 2,0 e 136 kg
• E. 2,0 e 272 kg

O reduzido teor de enxofre no gás natural NÃO contribui significativamente para a formação de

• A. gás sulfídrico na atmosfera, que é a principal substância responsável pela formação de chuva ácida.
• B. anidrido sulfúrico na atmosfera, que é a única substância responsável pela formação de chuva ácida.
• C. anidrido sulfuroso na atmosfera, que é a única substância responsável pela formação de chuva ácida.
• D. anidridos sulfúrico e sulfídrico na atmosfera, que são duas das principais substâncias responsáveis pela formação de chuva ácida.
• E. anidridos sulfúrico e sulfuroso na atmosfera, que são duas das principais substâncias responsáveis pela formação de chuva ácida.

Em relação aos hidrocarbonetos, constata-se que o

• A. P é o etano, e o Q é o propano.
• B. P é o metano, e o Q é o etano.
• C. P é o metano, e o Q é o propano.
• D. Q é o metano, e o R é o propano.
• E. Q é o etano, e o R é o metano.

Quais os principais materiais empregados em máscaras litográficas?

• A. Emulsão fotográfica, cromo sobre quartzo e ferróxido sobre quartzo.
• B. Cromo sobre vidro óptico, pirex com resina, negativo fotográfico.
• C. Silício corroído, filmes finos de titânio, PDMS.
• D. Película de Berílio, PDMS e PGMEA.
• E. Cromo sobre quartzo, PDMS, Kapton.

Como é definida a tolerância que pode ser aceita em um processo litográfico?

• A. Pelas regras de leiaute do CI em ¼ da menor dimensão do dispositivo.
• B. Pela tecnologia, atualmente em 0,27 micrometros.
• C. Pela resolução do sistema ótico, 4 vezes a resolução do sistema.
• D. Pela resolução do sistema ótico, 4 vezes o comprimento de onda.
• E. Pelo menor passo da alinhadora.

O que é modo de contato em fotolitografia?

• A. É o método utilizado para dupla exposição do fotorresiste sem perda de definição.
• B. É o modo de exposição em que o substrato fica em contato íntimo com a máscara litográfica.
• C. É o método de geração de imagem na superfície do fotorresiste com posterior difusão do solvente.
• D. É o modo no qual a máscara litográfica é colocada próxima a fonte de UV.
• E. É o uso de sistemas litográficos com fixação do substrato por vácuo no chuck da alinhadora.

Quais as reações que ocorrem durante o Prebake ?

• A. O endurecimento do fotorresiste para resistir as corrosões por plasma.
• B. A homogenização do fotorresiste e o aumento da sensibilidade.
• C. A degradação do fotorresiste e sua posterior remoção.
• D. A remoção do solvente, a adesão do fotorresiste e a ativação do foto-ácido.
• E. A transição vítrea do polímero.

Quais as fontes de UV para os comprimentos de onda: 436 nm, 405 nm, 365 nm, 193 nm e 249 nm respectivamente?

• A. h-line Hg, i-line Hg, g-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
• B. g-line Hg, h-line Hg, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
• C. laser de ArF e laser de KrF, h-line Hg, i-line Hg, laser de Xe.
• D. Xe flash, h-line Hg, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
• E. g-line Hg, Xe flash, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.

O que é o processo lift-off ?

• A. É a corrosão da camada sob o fotorresiste utilizando técnicas de redução de tensão superficial.
• B. É o processo de remoção do fotorresiste após a corrosão de metais.
• C. É um processo litográfico aditivo, em que uma camada de metal é depositada de forma a ser utilizada como máscara litográfica invertida sobre uma camada espessa de fotorresiste.
• D. É o processo de limpeza do promotor de aderência do substrato de silício.
• E. É a completa remoção por processos químicos do fotorresiste após o hard-bake.