Questões de Química do ano 2012

Como é verificado o erro de alinhamento entre níveis na litografia?

• A. Através das marcas de alinhamento.
• B. Através de estruturas do tipo Verniers.
• C. Por interferência ótica.
• D. Pela medição da largura de linha.
• E. Pela resolução do sistema ótico.

O que é o erro de alinhamento?

• A. É o erro observado entre a litografia e a corrosão.
• B. É o deslocamento dentre os níveis de fabricação de um CI.
• C. É o erro ocasionado pela distância entre a máscara litográfica e a lâmina de silício.
• D. É a rotação entre máscara litográfica e a lâmina de silício.
• E. É a má definição das estruturas litografadas.

Qual a necessidade de estruturas de inspeção em litografia?

• A. Para o controle do processo litográfico sem que haja a necessidade de fabricar totalmente o dispositivo.
• B. Para testar o sistema ótico da alinhadora.
• C. É utilizado como marca d’água pelo fabricante das máscaras.
• D. Para o controle do projetista da máscara litográfica.
• E. Só é utilizada ao término do dispositivo.

Onde se aplica o limite de Abbe em fotolitografia?

• A. No projeto das máscaras litográficas.
• B. No projeto de lentes da alinhadora.
• C. No cálculo do limite de resolução do sistema óptico das alinhadoras.
• D. No limite do microscópio utilizado para o alinhamento.
• E. Na escolha da lâmpada da alinhadora.

Qual a equação do limite de Rayleigh?

• A.
• B.
• C.
• D.
• E.

Quais as principais causas do limite de resolução em fotolitografia?

• A. Espessura do fotorresiste, tempo de cura e revelador.
• B. Material da máscara litográfica e tipo de alinhadora.
• C. Tecnologia do dispositivo e fabricante da máscara.
• D. Revelador utilizado, tempo de exposição do fotorresiste e conteúdo sólido do fotorresiste.
• E. Comprimento de onda, tipo de fotorresiste, sistema ótico da alinhadora e limite de definição da máscara.

Qual a definição de resolução em litografia?

• A. Menor distância entre dois pontos observados no microscópio.
• B. Espaço entre duas estruturas em um dispositivo.
• C. Comprimento de onda do UltraVioleta utilizado.
• D. Menor distância entre duas linhas definidas no resiste.
• E. Significado definido pelo fabricante da alinhadora.

Como se define a profundidade de foco em fotolitografia?

• A. É a maior profundidade em que é projetada a imagem no fotorresiste sem que haja perda de definição das bordas.
• B. É a maior área do fotorresiste iluminada durante a exposição litográfica.
• C. É a distância em que deve ser colocada a lâmina de silício em relação à máscara litográfica.
• D. É a espessura máxima do fotorresiste.
• E. É a profundidade das trincheiras obtidas após a revelação do fotorresiste.

Qual a definição de litografia em processos de microeletrônica?

• A. A escrita em substratos planos.
• B. Qualquer método de definição de padrões em circuitos integrados.
• C. A etapa de processo utilizada para a transferência de padrões na fabricação de circuitos integrados.
• D. Método ótico de escrita direta.
• E. Método de fabricação de circuitos integrados.

Considere o texto a seguir para responder às questões de nos 63 e 64.

O gás natural é uma mistura de hidrocarbonetos leves, que pode ser encontrado em reservatórios de gás (gás não associado) ou em contato / dissolvido em petróleo bruto (gás associado). O gás natural é uma importante fonte de energia e matéria-prima para a indústria petroquímica.

Quando os gases propano e butano são separados do gás natural, eles são comercializados como

• A. gás de síntese
• B. gasolina natural
• C. GNV
• D. GLP
• E. querosene