Questões de Química da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

Como se define a profundidade de foco em fotolitografia?

• A. É a maior profundidade em que é projetada a imagem no fotorresiste sem que haja perda de definição das bordas.
• B. É a maior área do fotorresiste iluminada durante a exposição litográfica.
• C. É a distância em que deve ser colocada a lâmina de silício em relação à máscara litográfica.
• D. É a espessura máxima do fotorresiste.
• E. É a profundidade das trincheiras obtidas após a revelação do fotorresiste.

Qual a definição de litografia em processos de microeletrônica?

• A. A escrita em substratos planos.
• B. Qualquer método de definição de padrões em circuitos integrados.
• C. A etapa de processo utilizada para a transferência de padrões na fabricação de circuitos integrados.
• D. Método ótico de escrita direta.
• E. Método de fabricação de circuitos integrados.

Quais os principais materiais empregados em máscaras litográficas?

• A. Emulsão fotográfica, cromo sobre quartzo e ferróxido sobre quartzo.
• B. Cromo sobre vidro óptico, pirex com resina, negativo fotográfico.
• C. Silício corroído, filmes finos de titânio, PDMS.
• D. Película de Berílio, PDMS e PGMEA.
• E. Cromo sobre quartzo, PDMS, Kapton.

Como é definida a tolerância que pode ser aceita em um processo litográfico?

• A. Pelas regras de leiaute do CI em ¼ da menor dimensão do dispositivo.
• B. Pela tecnologia, atualmente em 0,27 micrometros.
• C. Pela resolução do sistema ótico, 4 vezes a resolução do sistema.
• D. Pela resolução do sistema ótico, 4 vezes o comprimento de onda.
• E. Pelo menor passo da alinhadora.

O que é modo de contato em fotolitografia?

• A. É o método utilizado para dupla exposição do fotorresiste sem perda de definição.
• B. É o modo de exposição em que o substrato fica em contato íntimo com a máscara litográfica.
• C. É o método de geração de imagem na superfície do fotorresiste com posterior difusão do solvente.
• D. É o modo no qual a máscara litográfica é colocada próxima a fonte de UV.
• E. É o uso de sistemas litográficos com fixação do substrato por vácuo no chuck da alinhadora.

Quais as reações que ocorrem durante o Prebake ?

• A. O endurecimento do fotorresiste para resistir as corrosões por plasma.
• B. A homogenização do fotorresiste e o aumento da sensibilidade.
• C. A degradação do fotorresiste e sua posterior remoção.
• D. A remoção do solvente, a adesão do fotorresiste e a ativação do foto-ácido.
• E. A transição vítrea do polímero.

Quais as fontes de UV para os comprimentos de onda: 436 nm, 405 nm, 365 nm, 193 nm e 249 nm respectivamente?

• A. h-line Hg, i-line Hg, g-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
• B. g-line Hg, h-line Hg, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
• C. laser de ArF e laser de KrF, h-line Hg, i-line Hg, laser de Xe.
• D. Xe flash, h-line Hg, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.
• E. g-line Hg, Xe flash, i-line Hg, laser de ArF e laser de KrF.

O que é o processo lift-off ?

• A. É a corrosão da camada sob o fotorresiste utilizando técnicas de redução de tensão superficial.
• B. É o processo de remoção do fotorresiste após a corrosão de metais.
• C. É um processo litográfico aditivo, em que uma camada de metal é depositada de forma a ser utilizada como máscara litográfica invertida sobre uma camada espessa de fotorresiste.
• D. É o processo de limpeza do promotor de aderência do substrato de silício.
• E. É a completa remoção por processos químicos do fotorresiste após o hard-bake.

O que é a litografia de três camadas?

• A. Litografia composta de camada de planarização, camada de barreira e camada fotossensível.
• B. Litografia composta de três camadas de fotorresiste depositadas sequencialmente.
• C. Processo litográfico para o desenvolvimento de dispositivos de três camadas tipo MOS.
• D. Litografia utilizada na fabricação de máscaras litográficas.
• E. Processo alternativo a fotolitografia com resistes não sensíveis à luz.

Como pode ser definida a sensibilidade em fotorresistes negativos?

• A. É definida como a quantidade de UV necessária a formação de imagem no fotorresiste.
• B. É a medição da intensidade de luz UV pelo tempo de exposição.
• C. É a medida da energia da fonte de UV.
• D. É a energia efetiva da linha g da lâmpada de UV.
• E. É a energia total da fonte de luz UV.