Questões de Química da FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO)

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  • A. Ácido sulfídrico e sulfato de zinco.
  • B. Ácido sulfuroso e sulfeto de zinco.
  • C. Ácido sulfúrico e sulfito de zinco.
  • D. Ácido sulfúrico e sulfato de zinco.
  • E. Ácido sulfuroso e sulfato de zinco.

  • A. Modelo Atômico de Demócrito.
  • B. Modelo Atômico de Dalton.
  • C. Modelo Atômico de Thomson.
  • D. Modelo Atômico de Rutherford.
  • E. Modelo Atômico de Rutherford-Bohr.

  • A. Al e 2,00 moles.
  • B. I2 e 1,40 moles.
  • C. Al e 1,60 moles.
  • D. I2 e 2,00 moles.
  • E. Al e 1,40 moles.

Todo sólido puro possui ponto de fusão definido e reprodutível. Assim sendo, a presença de um contaminante (impureza) em uma amostra sólida altera a temperatura de fusão. Na avaliação de pureza absoluta pelo método da Equação de van't Hoff, que determina a pureza a partir do pico de fusão do analito, sabe-se que, em geral, quanto maior a concentração de impurezas na amostra:

  • A. Menor é o ponto de fusão e mais larga é a faixa de fusão.
  • B. Menor é o ponto de fusão e mais estreita é a faixa de fusão.
  • C. Maior é o ponto de fusão e mais larga é a faixa de fusão.
  • D. Maior é o ponto de fusão e mais estreita é a faixa de fusão.
  • E. Maior é o ponto de fusão e inalterada é a faixa de fusão.

Na prática tecnológica, é fundamental a identificação dos aspectos organizacionais e culturais da tecnologia, os quais permitirão ao cidadão compreender como a tecnologia é dependente dos sistemas sociopolíticos e dos valores e ideologias da cultura em que está inserida. Considerando a Química em uma prática tecnológica, nesse contexto, o aspecto cultural da prática da Química pode ser definido como:

  • A. Conhecimentos, habilidades e técnicas; instrumentos, ferramentas e máquinas; recursos humanos e materiais; matérias-primas, produtos obtidos, dejetos e resíduos.
  • B. Atividade econômica e industrial; atividade profissional dos engenheiros, técnicos e operários da produção; usuários e consumidores; sindicatos.
  • C. Objetivos; sistema de valores e códigos éticos; crenças sobre o progresso, consciência e criatividade.
  • D. Conhecimentos, habilidades e técnicas; técnicos e operários da produção; usuários e consumidores; sindicatos.
  • E. Atividade econômica e industrial; instrumentos, ferramentas e máquinas; recursos humanos e materiais; matérias-primas, produtos obtidos, dejetos e resíduos.

As coberturas antirrefletoras (ARC) em fotolitografia são utilizadas para

  • A. reduzir as ondas estacionárias em fotorresistes.
  • B. reduzir a dose do UV nos fotorresistes.
  • C. diminuir a espessura dos fotorresistes.
  • D. reduzir a sensibilidade dos fotorresistes.
  • E. atuar como filtros de UV em fotorresistes.

O que significa CD (Critical Dimension) in microlitografia?

  • A. A menor linha da máscara litográfica.
  • B. A menor dimensão para fabricar um transistor MOS.
  • C. A menor dimensão definida por processo litográfico.
  • D. A menor espessura do fotorresiste.
  • E. A maior espessura do fotorresiste.

Defina o termo stripping para litografia.

  • A. Revelação do fotorresiste.
  • B. Estabilização do fotorresiste.
  • C. Completa remoção do fotorresiste.
  • D. Etapa posterior à litografia para corrosão do substrato.
  • E. Limpeza do substrato antes do spinning.

Que lei rege a revelação do fotorresiste?

  • A. A difusão de Fickian ou Lei de Bruner’s.
  • B. A lei de Lambert.
  • C. A lei de Swelling.
  • D. A lei de não linearidade de Raylleig.
  • E. A lei da difusão de Mark-Houwink.

Quais as principais causas das ondas estacionárias nos fotorresistes?

  • A. Pouca mobilidade das cadeias poliméricas no fotorresiste.
  • B. Pouca difusão do foto-ácido.
  • C. Espessura do fotorresiste.
  • D. A difração nos limites das lentes e nas bordas das estruturas nas máscaras.
  • E. Comprimento de onda utilizado.
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