Questões de Engenharia Aeronáutica do ano 2009
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O esquema acima ilustra um circuito de polarização empregando um TBJ do tipo npn. Considerando que a tensão do terminal de base esteja 0,7 V acima daquela do terminal de emissor, e que o ganho de corrente de emissor comum 
seja igual a 200, julgue os itens que se seguem.
O esquema do circuito em questão pode ser utilizado para amplificação de sinais conectados capacitivamente ao terminal de base, adotando-se a configuração emissor comum. Nessa situação, o ganho de tensão é diretamente proporcional à resistência RC , que pode ser selecionada como arbitrariamente alta. Por sua vez, o resistor RE , que é normalmente conectado em paralelo a um capacitor de desvio, é imprescindível para garantir estabilização do ponto de operação diante de eventuais variações térmicas.
- C. Certo
- E. Errado
A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.
Em amplificadores implementados com MOSFET, a transcondutância para pequenos sinais é um parâmetro que depende somente das características físicas e geométricas do MOSFET.
- C. Certo
- E. Errado
A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.
O efeito da modulação do comprimento do canal em transistores MOSFET, que ocorre para valores relativamente altos da tensão de dreno, faz que a resistência incremental de saída do MOSFET, observada entre seus terminais de dreno e fonte, seja finita, ao contrário da idealização infinita. Em geral, quanto maior o comprimento do canal, mais pronunciado é o efeito de corpo.
- C. Certo
- E. Errado
A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.
O efeito de corpo em transistores MOSFET, que ocorre quando os terminais de fonte e substrato são conectados em potenciais diferentes, tende a aumentar a magnitude da tensão de limiar. Portanto, o terminal de corpo pode ser utilizado como uma porta adicional para controle da corrente de dreno. Para funcionamento apropriado do transistor, o terminal de corpo deve ser sempre conectado ao potencial mais negativo do circuito em dispositivos NMOS, ou ao potencial mais positivo do circuito em dispositivos PMOS.
- C. Certo
- E. Errado
A respeito das características de transistores MOSFET e TBJ, julgue os itens subsequentes.
TBJ, ao contrário de MOSFET, são dispositivos com terminais assimétricos. O fluxo de corrente nos MOSFET é determinado por um único tipo de portador de carga, ao passo que o fluxo de corrente nos TBJ é determinado simultaneamente por elétrons livres e elétrons de valência.
- C. Certo
- E. Errado
Acerca de princípios e conceitos relativos à termodinâmica clássica, julgue os itens a seguir.
O estado de um sistema termodinâmico simples é completamente determinado, conhecendo-se duas propriedades termodinâmicas intensivas daquele sistema.
- C. Certo
- E. Errado
Acerca de princípios e conceitos relativos à termodinâmica clássica, julgue os itens a seguir.
Em um processo de expansão, a pressão constante, de uma substância cujos calores específicos são constantes, a variação de entalpia dessa substância é proporcional à variação da temperatura.
- C. Certo
- E. Errado
Acerca de princípios e conceitos relativos à termodinâmica clássica, julgue os itens a seguir.
Em uma expansão de um gás ideal entre os volumes V 1 e V 2, tais que V 2 > V 1, sempre a partir do mesmo estado inicial, o trabalho realizado, no caso de o processo ser a pressão constante, é maior do que o trabalho realizado no caso de o processo ser a temperatura constante.
- C. Certo
- E. Errado
Acerca de princípios e conceitos relativos à termodinâmica clássica, julgue os itens a seguir.
De acordo com a Segunda Lei da Termodinâmica, um dispositivo que opere ciclicamente, de tal forma que todo o calor recebido da fonte quente é transformado em trabalho, funciona segundo o ciclo de Carnot.
- C. Certo
- E. Errado
Acerca de princípios e conceitos relativos à termodinâmica clássica, julgue os itens a seguir.
Um processo isoentrópico é necessariamente adiabático e reversível.
- C. Certo
- E. Errado
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