Questões de Engenharia Elétrica

Um transformador com 400 espiras no primário teve aplicada uma tensão de 250 V na bobina desse segmento. Para que possa resultar uma bobina com 200 espiras no secundário, a tensão induzida a ser aplicada no secundário deve ser, em V, de

• A.

  250.

• B.

  125.

• C.

  100.

• D.

  50.

• E.

  500.

Em um projeto de instalação elétrica predial, sendo IB a corrente de projeto do circuito, IZ a capacidade de corrente dos condutores do circuito e IN a corrente nominal do dispositivo de proteção, para uma perfeita coordenação entre condutores e dispositivo de proteção é necessário que

• A.

  

• B.

  

• C.

  

• D.

  

• E.

  

Observe os símbolos gráficos a seguir utilizados em projetos de sistemas de potência.

Os símbolos I e II representam, respectivamente,

• A. gerador de indução monofásico e autotransformador.
• B. gerador de indução trifásico e transformador de corrente.
• C. motor de corrente alternada trifásica e autotransformador.
• D. motor de corrente alternada monofásica e transformador de corrente.

Assinale a opção que apresenta a vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.

• A. Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato auto-alinhadas.
• B. Habilidade que esses materiais apresentam para a formação de estruturas de contato desalinhadas.
• C. Esses materiais jamais formam estruturas de contato auto-alinhadas.
• D. Não existe vantagem em utilizar silicetos de metais refratários para contatos.
• E. Esses silicetos têm baixo ponto de fusão e, por isso, grande condutividade.

As alternativas abaixo se referem ao processo de deposição química a partir de vapor em baixa pressão.

I – É um processo controlado pela taxa de reação.

II – A temperatura deve ser muito bem controlada e uniforme em todas as superfícies do wafer.

III – Um fluxo constante e uniforme de gases reagentes deve alcançar todas as superfícies do wafer.

Assinale a alternativa com a(s) afirmativa(s) correta(s).

• A. Apenas I está correta.
• B. Apenas II está correta.
• C. Apenas III está correta.
• D. Apenas I e II estão corretas.
• E. I, II e III estão corretas.

• A.

  (1 – 3 – a); (2 – 4 – b); (3 – c); (4 – d)

• B.

  (1 – 3 – c); (2 – 4 – d); (3 – a); (4 – b)

• C.

  (1 – a); (2 – b); (3 – c); (4 – d)

• D. (1 – c); (2 – d); (3 – b); (4 – a)
• E.

  (1 – b); (2 – a); (3 – d); (4 – c)

Com base nos conceitos de eletromagnetismo, julgue os itens a seguir.

Partículas estáticas carregadas interagem independentemente, aos pares, de modo que, no caso de N partículas, a força eletrostática percebida por uma delas é igual à soma das N - 1 forças exercidas independentemente por cada uma das demais partículas nessa primeira partícula.

• C. Certo
• E. Errado

Considere:

I. Esquema de aterramento em que o neutro do secundário do transformador de alimentação é diretamente aterrado, mas os condutores neutro e de proteção (PE) seguem separados em toda a instalação.

II. Esquema de aterramento em que o neutro do secundário do transformador é completamente isolado da terra ou é aterrado por uma impedância de valor elevado.

Os códigos desses sistemas de aterramento são, respectivamente,

• A.

  TN-C e TN-S.

• B.

  IT e TN-C.

• C.

  IT e TN-S.

• D.

  TN-S e IT.

• E.

  TN-S e TT.

Processos de Sputtering têm várias aplicações na produção de circuitos integrados. Considere o processo que envolve as etapas abaixo.

I – Emissão de um feixe de íons.

II – Íons se chocam contra o alvo, provocando o arrancamento de átomos do alvo.

III – Os átomos ejetados são termodinamicamente instáveis e depositam-se sobre as paredes da câmara e sobre o substrato.

IV – Os átomos recobrem o substrato com um filme fino.

O processo acima descrito corresponde a

• A. Etching.
• B. Espectrometria de massa por íons secundários.
• C. Deposição química a partir de vapor.
• D. Deposição química de vapor melhorada por plasma.
• E. Deposição física de vapor por Sputtering.

A respeito de retificadores monofásicos e de retificadores trifásicos, julgue o item abaixo.

No caso de retificadores monofásicos e trifásicos serem submetidos a uma mesma amplitude de tensão de alimentação, os retificadores trifásicos apresentarão tensão de saída menor.

• C. Certo
• E. Errado