Questões de Engenharia Elétrica do ano 2009

O dimensionamento de disjuntores em sistemas de alta tensão de sistemas elétricos de potência requer o atendimento de vários critérios. Acerca desse assunto, assinale a opção correta.

• A.

  A tensão nominal do disjuntor é definida como a tensão mínima de operação do sistema no ponto para o qual o disjuntor é projetado.

• B.

  No Brasil, a frequência nominal dos disjuntores é igual a 60 Hz.

• C.

  O valor nominal da corrente do disjuntor é igual à máxima corrente de curto-circuito que ocorre no local onde o disjuntor será instalado.

• D.

  O nível de isolamento nominal requerido para o disjuntor é igual à tensão nominal fase-fase do local onde o disjuntor será instalado.

Disjuntor que possui uma bobina no caminho do arco para limitar a corrente elétrica e formar um campo eletromagnético, que, com o auxílio de um sopro de ar comprimido acionado por um pistão direciona o arco para uma câmara de amianto onde ele é fracionado e extinto, é do tipo

• A.

  grande volume de óleo.

• B.

  a gás.

• C.

  a vácuo.

• D.

  termomagnético.

• E.

  sopro magnético.

Considere as proposições abaixo relativas a um dispositivo usado na instalação de inversor de frequência.

I. Funciona como um filtro para harmônicas da rede elétrica.

II. Isola galvanicamente o inversor da rede elétrica, aumentando a impedância para ruídos.

III. É composto por indutores com núcleo de chapas de aço silício que são conectados em série com o inversor.

Trata-se de

• A.

  trimmer de proteção.

• B.

  reostato de corrente.

• C.

  transformador isolador.

• D.

  reatância de rede.

• E.

  varistor de rede.

O efeito Seebeck é um fenômeno físico que explica o funcionamento do dispositivo usado em instrumentação industrial denominado

• A.

  manômetro.

• B.

  pressostato.

• C.

  válvula solenóide.

• D.

  termopar.

• E.

  chave de nível capacitiva.

Analise as vantagens e desvantagens de um sensor de proximidade.

Trata-se de um sensor de proximidade

• A.

  capacitivo.

• B.

  óptico do tipo barreira.

• C.

  óptico do tipo difuso-refletido.

• D.

  indutivo.

• E.

  ultra-sônico.

O domínio da eletrônica industrial pode ser subdividido em eletrônica de potência e eletrônica de regulação e comando. A eletrônica de potência é a aplicação de dispositivos semicondutores em sistemas elétricos de potência. Por meio dos dispositivos semicondutores de potência, associados a outros circuitos eletrônicos, podem-se acionar e controlar diversos tipos de cargas industriais. A amplificação da potência e a potência dos dispositivos envolvidos são preponderantes.

A partir do texto acima, julgue os itens a seguir.

SCR, LASCR, LTT, TRIAC, DIAC, GTO, GVT e MCT são dispositivos semicondutores de potência.

• C. Certo
• E. Errado

Considere as seguintes afirmações relativas aos tiristores:

I. Os tiristores podem converter cc em ca e ca em cc.

II. O SCR é o principal dos tiristores.

III. O SCS é um tiristor com dois terminais de disparo, que permite disparos por pulsos positivos e negativos.

IV. O GTO é o tiristor que permite o desligamento pelo gatilho, por pulso negativo de alta corrente.

V. Os tiristores podem ser disparados através de pulso, por ângulo de fase em ca e por cc.

Está correto apenas o que se afirma em:

• A.

  I, II e IV.

• B.

  II, IV e V.

• C.

  I, III e IV.

• D.

  I, II, III e V.

• E.

  I, II, III, IV e V.

Relativamente aos tiristores é INCORRETO afirmar que:

• A.

  Um reator saturável, em paralelo com o tiristor, limita o crescimento da corrente de anodo durante a entrada em condução do dispositivo.

• B.

  O atraso no crescimento da corrente de anodo pode levar à necessidade de um pulso mais longo de disparo, ou ainda a uma seqüência de pulsos, para que seja assegurada a condução do tiristor.

• C.

  A limitação do crescimento da tensão direta do tiristor, usualmente, é feita pelo uso de circuitos RC, RCD ou RLCD em paralelo com o dispositivo.

• D.

  Quando o tiristor é comutado à tensão anodo catodo segue a dinâmica dada por RC que também desvia a corrente de anodo, facilitando a comutação.

• E.

  Devido à necessidade de isolamento elétrico entre o circuito de comando e o de potência, o sinal de disparo deve ser isolado por meio de algum dispositivo como, por exemplo, transformadores de pulso ou acopladores óticos

Considere o conjunto a seguir relativo às formas de disparo de tiristores:

I. Para valores elevados de tensão entre o anodo e o catodo, é possível iniciar um processo de avalanche e disparar o tiristor.

II. Com uma elevada taxa de crescimento da tensão direta dV/dt, o tiristor pode disparar.

III. Com altas temperaturas, a corrente de fuga numa junção PN reversamente polarizada dobra, aproximadamente, com o aumento de 8 °C, fazendo com que haja uma corrente através da junção NP central suficiente para levar o tiristor à condução.

IV. O método menos usual de disparo do tiristor é através da corrente positiva de porta.

V. O método mais usual é através da energia radiante dentro da banda espectral do silício, incidindo e penetrando no cristal, aumentando a corrente de fuga reversa, que possibilita a condução do tiristor.

Está correto apenas o que se afirma em:

• A.

  I, II e IV.

• B.

  II, IV e V.

• C.

  I, III e IV.

• D.

  I, II e III.

• E.

  I, II, III e V.

Relativamente aos transistores bipolares, é INCORRETO afirmar

• A.

  Trabalha com alta potência.

• B.

  A resistência entre base e emissor é maior que entre base e coletor.

• C.

  Funciona em alta freqüência.

• D.

  É excitado por corrente.

• E.

  Possui menor resistência entre coletor e emissor, quando em saturação.