Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Para se fabricar um inversor com transistores MOS, pode-se fazê-lo utilizando:

• A. Um MOSFET canal P.
• B. Um MOSFET canal N.
• C. Um MOSFET canal P e um canal N.
• D. Dois MOSFET canal P.
• E. Dois MOSFET canal N.

Um inversor MOS foi construído com MOSFETs casados com tensão de limiar, V_t = 0,5V. Sabendo-se que a tensão de alimentação utilizada é V_DD = 5V, assinale a alternativa que apresenta o menor valor de tensão de entrada que será considerado como um nível lógico 1.

• A. 3,2V.
• B. 2V.
• C. 2,8V.
• D. 3V.
• E. 2,5V.

Um transistor MOS apresenta um tipo de corrente conhecida como corrente sublimiar. Quanto a esta corrente, analise as sentenças a seguir para um NMOSFET:

I) A corrente sublimiar é a corrente entre dreno e fonte (I_DS) quando o valor da tensão entre porta e fonte (V_GS) é menor que a tensão de limiar (V_t).

II) A corrente sublimiar é sempre nula.

III) Para valores de VGS menores que V_t, porém próximos a este último, pode-se afirmar que a corrente sublimiar é relacionada a V_GS de forma exponencial.

Estão corretas as sentenças:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. I e III
• E. I, II e III

Para a caracterização de transistores MOS, uma ferramenta importante são as curvas I_DS x V_DS. Com relação a estas curvas, analise as seguintes sentenças:

I) Para levantamento destas curvas, o valor da tensão entre porta e fonte (V_GS) deve sempre ser nulo.

II) A caracterização através destas curvas é feita através da variação da corrente entre dreno e fonte (I_DS) e medição da tensão entre dreno e fonte (V_DS) para um valor fixo de V_GS.

III) Estas curvas são obtidas para diversos valores de V_GS e traçadas em um único gráfico, permitindo a análise do comportamento do transistor para diferentes tensões de porta.

Estão corretas as sentenças:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. II e III
• E. III

Ao realizar alguns testes em um transistor MOS desconhecido, um engenheiro conectou o terminal fonte ao terra e o terminal dreno a uma tensão positiva de forma que V_DS>0. O terminal de porta também foi aterrado, fazendo V_GS = 0. Variando V_DS, conseguiu medir diferentes valores de corrente entre dreno e fonte (I_DS), encontrando uma curva esperada para transistores MOS. Com estas informações, é possível afirmar que este transistor:

• A. Não está funcionando corretamente.
• B. É um MOSFET canal N tipo enriquecimento.
• C. É um MOSFET canal P tipo enriquecimento.
• D. É um MOSFET canal N tipo depleção.
• E. É um MOSFET canal P tipo depleção.

Na fabricação de circuitos integrados, algumas estruturas de teste podem ser usadas para avaliação do processo. Analise as sentenças a seguir: I) Para a correta avaliação do processo de fabricação de um CI, é sempre necessário realizar a caracterização de um componente eletrônico. II) É possível caracterizar partes de um processo de fabricação de CIs por meio de estruturas de teste visual. III) Estruturas de inspeção visual têm como objetivo a avaliação exclusivamente qualitativa. Estão corretas as sentenças:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. II e III
• E. III

Avalie as assertivas a seguir sobre estruturas de teste para avaliação de processos de fabricação de circuitos integrados:

I) Um exemplo de estrutura de inspeção visual é o conjunto de linhas.

II) Para realização de testes com conjunto de linhas, são colocadas linhas nas direções x e y do wafer a ser testado.

III) Os conjuntos de linhas podem ser feitos de forma que o período seja constante, mas a largura da linha seja diminuída; o período seja constante, mas a distância entre linhas seja diminuída; ou tanto linha quanto distância entre linhas são diminuídas alterando assim a periodicidade das linhas.

Estão corretas as assertivas:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. II e III
• E. I, II e III

Para medida de resistência de um material a ser caracterizado, pode ser utilizada uma estrutura formada por uma linha do material com contatos metálicos nos 2 (dois) terminais das extremidades. Para este tipo de medida, analise as assertivas a seguir:

I) Este tipo de estrutura permite a medição de resistências com precisão.

II) A medição com esta estrutura permite minimizar o efeito de resistências parasitárias.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

• A. As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
• B. As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
• C. A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
• D. A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
• E. Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

Diversas estruturas para medição de resistência são possíveis de serem implementadas. Cada um dos tipos de estrutura é mais adequado dependendo do que se deseja em termos de medidas e de precisão. Analise as sentenças a seguir, sobre a estrutura de resistência do tipo ponte:

I) Esta estrutura é formada por 4 (quatro) terminais conectados a uma linha do material a ser caracterizado, dois terminais nas extremidades e dois terminais internos.

II) A estrutura tipo ponte permite a medição de resistência de diversos tipos de materiais com alta precisão.

III) A estrutura ponte, por realizar a medição de tensão em terminais por onde não se passa corrente, não sofre influência de resistências parasitárias.

Estão corretas as sentenças:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. II e III
• E. I, II e III

Uma característica muito importante de um processo de fabricação de circuitos integrados é a resistência de folha. Com relação a esta característica, assinale a alternativa correta:

• A. A resistência de folha é sempre expressa em Ohm/m².
• B. A resistência de folha é diretamente proporcional ao comprimento da linha de material medido.
• C. A resistência de folha depende somente da resistividade intrínseca do material.
• D. A resistência de folha depende da resistividade intrínseca do material e da espessura ou da profundidade da camada.
• E. A resistência de folha é diretamente proporcional à espessura ou à profundidade da camada do material.