Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

A varredura de um osciloscópio deve ser sincronizada com o sinal que está sendo medido, em particular para sinais periódicos. Quando a fonte de sincronismo for ajustada para LINE (linha), qual é a frequência do sinal de sincronismo que estará sendo usado?

• A. 2,4 GHz.
• B. 13,56 kHz.
• C. 220 Hz.
• D. 110 Hz.
• E. 60 Hz.

Qual material apresenta o melhor desempenho com relação à redução de impedâncias parasitárias quando utilizado para a fabricação de placas de circuito impresso para aplicações em altas frequência (2,4 GHz)?

• A. Fenolite.
• B. Fibra de vidro.
• C. Cobre.
• D. Plástico.
• E. Alumina.

Qual dos processos abaixo não é utilizado na fabricação de placas de circuito impresso com tecnologia SMT (Surface Mount Technology)?

• A. Projeto da interconexão entre os componentes.
• B. Definição das interconexões na placa.
• C. Perfuração da placa para fixação dos componentes.
• D. Montagem dos componentes na superfície da placa.
• E. Refusão da solda para estabelecimento do contato elétrico entre a placa e os componentes.

A iniciativa RoHS / WEEE, que determina a eliminação do uso de materiais nocivos ao meio ambiente, teve um impacto significativo na indústria de semicondutores, pois ela requer o banimento de qual elemento?

• A. Ouro.
• B. Platina.
• C. Prata.
• D. Estanho.
• E. Chumbo.

Qual das alternativas não é um processo para a formação de bumps em CI's a serem montados pela técnica de flip-chip?

• A. Eletrodeposição (Electroplating).
• B. Ball Drop.
• C. Solder Paste Screening.
• D. Stud Bump.
• E. Deposição por Sputtering.

Qual é a técnica de inspeção não destrutiva capaz de detectar defeitos em montagens Flip-Chip?

• A. Microscopia eletrônica de varredura.
• B. Microscopia eletrônica de transmissão.
• C. Microscopia de força atômica.
• D. Tomografia de Raios-X.
• E. Fluorescência de Raios-X.

A maior parte dos circuitos integrados atualmente comercializados é processada a partir de que tipo de substrato indicado abaixo. Assinale-o.

• A. Silício policristalino com grãos menores que 1 micrometro em sua maior dimensão.
• B. Silício policristalino com grãos menores que 0,5 micrometro em sua maior dimensão.
• C. Silício monocristalino obtido pelo processo de refusão zonal.
• D. Silício monocristalino obtido pelo processo de Czochralski.
• E. Silício amorfo apassivado com Hidrogênio.

Circuitos integrados fabricados em tecnologia CMOS padrão são geralmente processados em lâminas com superfície (100), pois

• A. essas lâminas são mais robustas que lâminas com superfície (010).
• B. essas lâminas são mais robustas que lâminas com superfície (001).
• C. essas lâminas propiciam menor ruído em MOSFETs que lâminas com superfície (111).
• D. o índice (100) indica o maior grau de pureza alcançável em lâminas de silício.
• E. a superfície (100) exibe uma densidade menor de impurezas que lâminas (110).

Quando se indica que um circuito integrado foi fabricado em tecnologia CMOS com rótulo de 0,35 micrometro, sabe-se que

• A. o óxido de porta tem espessura de 0,35 micrometro.
• B. a distância mínima entre dois transistores deve ser de 0,35 micrometro.
• C. a menor dimensão de um transistor que se consegue realizar no chip é de 0,35 micrometro.
• D. o comprimento de onda da fonte UV utilizada para a etapa de fotolitografia é de 0,35 micrometro.
• E. a densidade de transistores nesta tecnologia pode ser maior que em uma tecnologia CMOS com rótulo 0,5 micrometro.

O processo de fotolitografia é essencial para a fabricação de circuitos integrados. No escopo da fotolitografia qual das afirmativas abaixo é a correta?

• A. Utiliza-se um material polimérico denominado eletroresiste para a transferência de um padrão geométrico para o chip.
• B. Consegue-se uma definição lateral menor de um padrão geométrico com um comprimento de onda maior do feixe de luz.
• C. Consegue-se obter dimensões laterais menores do padrão geométrico através de imersão em solução líquida.
• D. Fotolitografia de contato é o método que permite a maior repetibilidade na produção de chips.
• E. A melhor resolução fotolitográfica é obtida quando se utiliza uma lente de projeção com superfície esférica.