Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Qual processo deve ser executado para corrigir os danos causados pela implantação de íons em lâmina de Si?

• A. Oxidação térmica seca.
• B. Recozimento térmico em ambiente inerte.
• C. Deposição a partir da fase vapor.
• D. Oxidação térmica úmida.
• E. Tratamento térmico em ambiente de oxigênio.

Qual deve ser o ambiente interno no implantador de íons para executar o processo?

• A. Ambiente inerte com gás nitrogênio.
• B. Ambiente em vácuo com pressão em torno de 1 mTorr.
• C. Ambiente em vácuo em pressão atmosférica.
• D. Ambiente inerte com gás argônio.
• E. Ambiente em vácuo com pressão menor que 10^-6 Torr.

Qual é a função do analisador magnético do sistema de implantação de íons?

• A. Selecionar a dose do feixe de íons.
• B. Selecionar a energia do feixe de íons.
• C. Selecionar a massa do íon.
• D. Selecionar a corrente do feixe de íons.
• E. Selecionar o ângulo de inclinação da lâmina para implantação.

Que parte do sistema de implantação de íons faz a contagem de íons que penetram na lâmina e determina o final do processo?

• A. Gaiola de Faraday com circuito integrador.
• B. Fonte de íons.
• C. Analisador Magnético.
• D. Gaiola de Lorentz.
• E. Fonte de átomos.

Que processos são utilizados para obter junções rasas (com profundidade menor que 50 nm) em Si do tipo n+?

• A. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
• B. Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 1000ºC.
• C. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno rápido em temperatura em torno de 600ºC.
• D. Implantação de íons de ⁷⁵As⁺ seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 600ºC.
• E. Implantação de íons de ³¹P⁺seguido de um recozimento térmico em forno convencional em temperatura em torno de 1000ºC.

Executando-se a medida de quatro pontas sobre uma camada implantada e recozida, consegue-se obter

• A. a destruição da camada implantada.
• B. a reconstrução da camada implantada.
• C. a resistividade da camada implantada.
• D. a rugosidade da camada implantada.
• E. a reflexão da camada implantada.

Executando-se a espectroscopia de massa do íon secundário (SIMS) de uma estrutura implantada, consegue-se obter

• A. o perfil de implantação na lâmina.
• B. a oxidação da lâmina.
• C. a deposição de um filme fino sobre a lâmina.
• D. a limpeza da lâmina.
• E. os defeitos na lâmina.

Para que servem as lentes eletrostáticas no sistema de implantações de íons?

• A. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.
• B. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.
• C. Servem para varrer o feixe de íons sobre a lâmina e não manter a uniformidade do processo.
• D. Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a uniformidade do processo.
• E. Servem para varrer o feixe de elétrons sobre a lâmina e manter a desuniformidade do processo.

Para evitar ou reduzir o efeito de canalização de íons numa lâmina de Si com orientação cristalina (100) durante a implantação de íons, a lâmina deve ser posicionada no implantador com inclinação e rotação?

• A. Não, somente com inclinação.
• B. Sim, com rotação e inclinação da lâmina.
• C. Não, pois a lâmina de Si tem estrutura amorfa.
• D. Não, pois com a lâmina de Si com orientação cristalina (100) não ocorre o efeito de canalização.
• E. Sim, mas não precisa da inclinação.

Qual deve ser a energia de aceleração do feixe de íons no processo de implantação para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm) em lâmina de Si?

• A. Em torno de 1 MeV.
• B. Em torno de 100 keV.
• C. Em torno de 10 MeV.
• D. Em torno de 50 keV.
• E. Em torno de 1 keV.