Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012

Em uma linha de produção de circuitos integrados, os testes demandam uma grande parte do tempo e de homens-hora por peça gastos no processo. Em contrapartida, é um passo essencial na cadeia produtiva, permitindo muitas vezes detectar antecipadamente falhas no processo produtivo, evitando custos desnecessários. Com relação aos testes de semicondutores, analise as seguintes sentenças e assinale a opção correta: I) O BISR (Built-In-Self-Repair) é uma técnica muito utilizada na fabricação de memórias. II) Na fabricação de memórias, quando estas apresentam um padrão de repetitividade de blocos funcionais, podem ser criados blocos extras dentro do circuito que no caso de uma falha pontual podem substituir os blocos problemáticos.

• A. As duas sentenças são verdadeiras, e a segunda complementa a definição da primeira.
• B. As duas sentenças são verdadeiras, mas a segunda não está relacionada com a definição da primeira.
• C. A primeira sentença é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
• D. A primeira sentença é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
• E. Tanto a primeira como a segunda sentenças são falsas.

Para que serve o processo de implantação de íons na tecnologia de fabricação de circuitos integrados e dispositivos semicondutores?

• A. Serve para oxidar substratos semicondutores.
• B. Serve para limpar substratos semicondutores.
• C. Serve para introduzir impurezas (dopantes) em substratos semicondutores.
• D. Serve para metalizar substratos semicondutores.
• E. Não serve para a tecnologia de fabricação de circuitos integrados e dispositivos semicondutores.

Para a execução de uma implantação de íons, os seguintes parâmetros de processo devem ser selecionados:

• A. Corrente elétrica e Campo Elétrico.
• B. Energia e dose do feixe de íons, massa do íon e ângulos de inclinação e rotação da amostra.
• C. Energia e dose do feixe de elétrons, massa do elétron e ângulo de inclinação da amostra.
• D. Corrente e dose do feixe de íons, massa do elétron e sem ângulo de inclinação da amostra.
• E. Corrente e dose do feixe de elétrons, massa do íon e sem ângulo de inclinação da amostra.

A implantação de íons na tecnologia de fabricação de MOSFETs é utilizada, principalmente, para obtenção de

• A. junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
• B. junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
• C. junções rasas de fonte e de dreno e para ajuste da corrente de condução de transistores MOSFETs.
• D. junções profundas de fonte e de dreno e para ajuste da tensão de limiar de condução de transistores MOSFETs.
• E. junções rasas e profundas de fonte e de dreno e para ajustar o comprimento de transistores MOSFETs.

Entre as principais vantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Pode ser executado em temperatura ambiente.

2) Apresenta controle preciso da profundidade de penetração do íon na amostra implantada.

3) Apresenta excelente controle da concentração de íons inseridos na amostra implantada.

Quais dessas vantagens estão corretamente identificadas?

• A. Apenas a primeira.
• B. Apenas a segunda.
• C. Apenas a terceira.
• D. Todas as três.
• E. Apenas duas delas.

Entre as principais desvantagens do processo de implantação de íons, citam-se:

1) Os danos causados pela implantação podem ampliar a difusão de dopantes

2) Os deslocamentos dos átomos na rede cristalina da amostra causados pelos danos podem resultar em corrente de fuga nas junções das regiões de fonte e de dreno de transistores MOSFETs

3) O efeito de canalização na rede cristalina da amostra pode afetar a profundidade de penetração do íon implantado

Quais dessas desvantagens estão corretamente identificadas:

• A. Apenas a primeira.
• B. Apenas a segunda.
• C. Apenas a terceira.
• D. Apenas duas delas.
• E. Todas as três.

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará mais em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a maior profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

• A. ⁷⁵As⁺,
• B. ³¹P⁺
• C. ¹¹B⁺
• D. Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si.
• E. Os íons de ³¹P⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si.

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os íons de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual íon penetrará menos em sua respectiva lâmina de Si, ou seja, apresentará a menor profundidade no Si? Nota: todas as implantações foram executadas com as mesmas condições de energia, dose e ângulos de inclinação e rotação.

• A. ⁷⁵As⁺
• B. ³¹P⁺
• C. ¹¹B⁺
• D. Os três íons penetrarão com a mesma profundidade no Si
• E. Os íons de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ penetrarão com a mesma profundidade no Si

Que é efeito de canalização no processo de implantação de íons?

• A. Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma maior chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• B. Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra menos do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• C. Em estruturas amorfas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.
• D. Em estruturas amorfas, o íon implantado não encontra canais na rede cristalina.
• E. Em estruturas cristalinas, o íon implantado quando encontra um canal na rede cristalina tem uma menor chance de colidir com os átomos da rede e, consequentemente, penetra mais do que desejado, alterando o perfil de implantação.

Em três lâminas de Si iguais foram implantados os ions de ¹¹B⁺, na primeira, ³¹P⁺, na segunda e ⁷⁵As⁺, na terceira. Qual implantação de íons destruirá mais a rede cristalina em sua respectiva lâmina de Si. Nota: todas as implantações foram executadas com a mesma energia e dose, e em temperatura ambiente.

• A. As três implantações destruirão por igual a rede cristalina do Si.
• B. A implantação de íons de ³¹P⁺
• C. A implantação de íons de ¹¹B⁺
• D. A implantação de íons de ⁷⁵As⁺
• E. As implantações de ⁷⁵As⁺ e ¹¹B⁺ destruirão por igual a rede cristalina do Si, e a de ³¹P⁺ destruirá mais.