Questões de Engenharia Elétrica do ano 2012
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Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
No processo de implantações de íons, qual deve ser a dose da implantação de íons para se obter em junções rasas (com profundidade menor que 10 nm e concentração de dopantes em torno de 1020 cm-3) em lâmina de Si?
- A. Em torno de 1010 cm-2
- B. Em torno de 1011 cm-2
- C. Em torno de 1012 cm-2
- D. Em torno de ou maior que 1014 cm-2
- E. Entre 1012 cm-2 e 1013 cm-2
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
O implantador de íons é do tipo:
- A. Acelerador de partículas.
- B. Sistema de corrosão por plasma.
- C. Sistema sputtering.
- D. Sistema de deposição por plasma.
- E. Tubo de Raios Catódicos.
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Dentro do alvo (lâmina), os íons implantados sofrem colisões múltiplas com os elétrons e com os núcleos dos átomos da estrutura do substrato (lâmina). Essas colisões reduzem gradualmente a energia dos íons até freá-los totalmente. As reduções da energia dos íons incidentes devido às colisões com os elétrons e com os núcleos são denominadas, respectivamente:
- A. Frenagem eletrônica e Frenagem nuclear.
- B. Frenagem nuclear e Frenagem eletrônica.
- C. Frenagem atômica e Frenagem eletrônica.
- D. Frenagem nuclear e Frenagem atômica.
- E. Frenagem eletrônica e Frenagem atômica.
Engenharia Elétrica - Princípios de Ciências dos Materiais - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para altas energias do feixe iônico incidente?
- A. Frenagem eletrônica
- B. Frenagem atômica
- C. Frenagem nuclear
- D. Frenagem magnética
- E. Frenagem elétrica
Engenharia Elétrica - Geral - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
Qual o mecanismo de frenagem do íon implantado dentro do alvo (lâmina) que é predominante para baixas energias do feixe iônico incidente?
- A. Frenagem eletrônica
- B. Frenagem atômica
- C. Frenagem nuclear
- D. Frenagem magnética
- E. Frenagem elétrica
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
- A. 6 s e 1 MÙ.
- B. 3 s e 290 kÙ.
- C. 4 s e 300 kÙ.
- D. 1 s e 270 kÙ.
- E. 5 s e 39 kÙ.
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
- A. 30 ìF.
- B. 20 ìF.
- C. 50 ìF.
- D. 25 ìF.
- E. 12 ìF.
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
- A. 2,5 nF.
- B. 4,5 nF.
- C. 1 nF.
- D. 2 nF.
- E. 0,5 nF.
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
- A. 1 kÙ, 5 nF e 50 ìH.
- B. 100Ù, 5 nF e 5 ìH.
- C. 10 kÙ, 500 pF e 50 ìH.
- D. 10 kÙ, 50 nF e 5 ìH.
- E. 1 kÙ, 500 pF e 0,5 ìH.
Engenharia Elétrica - Circuitos - FUNRIO Fundação de Apoio a Pesquisa, Ensino e Assistência (FUNRIO) - 2012
- A. 4,3 Ù.
- B. 6,2 Ù.
- C. 5,7 Ù.
- D. 2,5 Ù.
- E. 1,2Ù.
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