Questões sobre Eletrônica Analógica

Um conversor analógico-digital de 8 bits, com faixa de entrada de 0 a 10 V, foi utilizado em conjunto com uma célula de carga, cuja saída varia linearmente entre 0 e 5 V para uma faixa de carga compreendida entre 0 e 1.000 N. Qual é, aproximadamente, a resolução desse sistema?

• A. 5,32 N
• B. 7,84 N
• C. 8,15 N
• D. 10,00 N
• E. 25,00 N

Um transistor de potência, para o qual a temperatura máxima da junção T_Jmáx = 150 ºC, é capaz de dissipar 50 W à temperatura de 50 ºC. Considerando que o transistor foi conectado a um dissipador de calor usando uma arruela com resistência térmica igual a 0,5 ºC/W, a temperatura no dissipador necessária para assegurar a operação segura a 30 W e o comprimento do dissipador são, respectivamente, iguais a: (considere a resistência térmica do ar ambiente em repouso igual a 4 °C/W e a temperatura ambiente igual a 15 °C)

• A. 60 °C e 3 cm.
• B. 80 °C e 7,5 cm.
• C. 55 °C e 4 cm.
• D. 65 °C e 3,5 cm.
• E. 75 °C e 2 cm.

• A.
• B.
• C.
• D.
• E.

Para gerar o traço horizontal de varredura na tela de um osciloscópio analógico, aplica-se, sobre as placas defletoras horizontais, uma forma de onda de tensão periódica, cujo esboço é

• A.
• B.
• C.
• D.
• E.

• A.
• B.
• C.
• D.
• E.

• A. 0
• B.
• C.
• D.
• E.

Cada fio de um par de interconexões de 1 mm tem distribuição linear de capacitância de 2,5 fF/μm em relação ao plano de terra representado pelo substrato e 2,5 fF/μm em relação ao fio adjacente. Cada interconexão é ligada a um inversor CMOS com resistência de 20 kΩ. Pode-se afirmar que os retardos de contaminação e de propagação ao longo do caminho das interconexões serão, respectivamente, iguais a: (despreze a capacitância parasita do inversor CMOS e a resistência dos fios)

• A. 25 ns e 75 ns.
• B. 2,5 ns e 7,5 ns.
• C. 5 ns e 90 ns.
• D. 50 ns e 150 ns.
• E. 45 ns e 45 ns.

Sobre a fabricação de um transistor nMOS (Metal-Óxido-Semicondutor tipo “n”), pode-se afirmar que a seguinte etapa desse processo é dita auto-alinhada:

• A. “Sputtering”.
• B. Oxidação.
• C. Difusão.
• D. Deposição de vapor químico.
• E. “Etching”.

• A.
• B.
• C.
• D.
• E.

Para processos tipo RIE de corrosão de Si em descargas assimétricas, qual dos eletrodos é utilizado para fixar a lâmina?

• A. De área maior.
• B. De área menor.
• C. Qualquer dos dois.
• D. Depende da potência da descarga.
• E. Depende da pressão do gás.