Questões sobre Eletrônica Analógica

A política de contingência, dentro do contexto de desenvolvimento de circuitos integrados, visa principalmente:

• A. A replicação off-site apenas da base de dados e de dados de simulação dos projetos para sua recuperação imediata em caso de sinistro.
• B. A replicação off-site apenas da base de dados e de dados de simulação dos projetos para facultar aos projetistas a possibilidade de trabalho remoto em caso de sinistro.
• C. A replicação off-site da instalação de ferramentas e PDKs, permitindo-se assim a expansão do escritório de projetos para uma outra localidade física, ao mesmo tempo em que se mantém a estrutura de dados original.
• D. A replicação, em outra máquina necessariamente no mesmo local, da instalação de ferramentas, PDKs e dados de simulação para sua recuperação imediata em caso de perda de dados.
• E. A replicação off-site da instalação de ferramentas, PDKs e base de dados do projeto para sua recuperação imediata em caso de sinistro.

Com relação à estrutura dos dados gerados, transmitidos e armazenados durante a execução do fluxo de projeto de circuitos integrados, principalmente utilizando-se as ferramentas comerciais, podemos classificá-los em:

• A. Dados importantes como as bases de dados de projetos. Dados pouco importantes como os arquivos de bibliotecas e IP's e ferramentas EDA/CAD. E os dados não-importantes como os oriundos de simulação, log das ferramentas, arquivos temporários gerados pelas ferramentas de verificação física.
• B. Dados temporários como os PDK's e ferramentas EDA/CAD. E os dados permanentes como a base de dados dos projetos, modelos matlab, IPs e dados de simulação.
• C. Dados importantes como PDKs, IPs, bibliotecas de projetos. E dados pouco importantes como os resultados de simulação, modelos matlab e logs de ferramentas.
• D. Dados temporários como os logs de ferramentas, arquivos pessoais dos projetistas. E dados permanentes como PDKs, arquivos de documentação dos projetos e dados de simulação.
• E. Dados temporários oriundos de simulação, log das ferramentas, arquivos temporários gerados pelas ferramentas de verificação física e dados permanentes, que podem ser classificados em dados de projeto oriundo de terceiros, como por exemplo Ferramentas de EDA/CAD e PDKs e concebidos pela organização, internamente e em geral sob algum tipo de licenciamento que não permite a divulgação das informações compreendendo documentação, bibliotecas Cadence CDBA ou OA, código verilog, modelos matlab, etc.

Um engenheiro realizou diversos testes de caracterização de um capacitor MOS variando a tensão aplicada a seus terminais e medindo a capacitância. Analise as seguintes sentenças:

I) A capacitância varia monotonicamente com a tensão.

II) A variação da capacitância é linear com relação à tensão.

III) A curva CV (Capacitância versus Tensão) apresenta um máximo de capacitância.

Este engenheiro pode concluir que estão corretas as sentenças:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. II e III
• E. III

Uma das características de um transistor MOSFET é a existência de uma tensão de limiar (threshold). Analise as assertivas a seguir, sobre esta tensão:

I) Para tensões entre porta (gate) e fonte (source), VGS, abaixo de uma tensão de limiar (Vt), não haverá ou será muito pequeno o fluxo de corrente entre fonte e dreno.

II) Quando VGS < Vt, a densidade de cargas acumuladas no canal é nula ou muito pequena já que a intensidade de campo elétrico não será suficiente para a formação do canal condutor.

Com relação a essas assertivas, pode-se afirmar que:

• A. As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
• B. As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
• C. A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
• D. A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
• E. Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

Um engenheiro realizou alguns testes com um transistor MOSFET de canal N para tentar caracterizá-lo. Ele estudou a variação das tensões entre porta e fonte (V_GS), e entre dreno e fonte (V_DS). Sendo assim, analise as seguintes asserções feitas:

I) Para uma tensão V_GS fixa, acima da tensão de limiar (V_t), variando-se a tensão V_DS existe um valor desta última que faz com que o transistor entre na região de saturação.

II) Se V_DS = V_GS - V_t, a diferença de potencial entre porta e dreno fica igual à tensão de limiar (Vt), e o canal atinge sua largura máxima, ponto a partir do qual mudanças em V_DS têm pouco efeito sobre o valor de corrente entre fonte e dreno, e o transistor se diz saturado.

Com relação a estas assertivas, pode-se afirmar que:

• A. As duas assertivas são verdadeiras, e a segunda é uma justificativa correta da primeira.
• B. As duas assertivas são verdadeiras, mas a segunda não é uma justificativa correta da primeira.
• C. A primeira assertiva é uma proposição verdadeira, e a segunda é uma proposição falsa.
• D. A primeira assertiva é uma proposição falsa, e a segunda é uma proposição verdadeira.
• E. Tanto a primeira como a segunda assertivas são falsas.

Um inversor MOS foi construído com MOSFETs casados com tensão de limiar, V_t = 0,5V. Sabendo-se que a tensão de alimentação utilizada é V_DD = 5V, assinale a alternativa que apresenta o menor valor de tensão de entrada que será considerado como um nível lógico 1.

• A. 3,2V.
• B. 2V.
• C. 2,8V.
• D. 3V.
• E. 2,5V.

Considere um estágio de saída de potência com ganho unitário, tensão do sinal de saída V_S = 5 V e nível médio de ruído na saída V_n = 0,5 V. Suponha que esse estágio de potência seja precedido por um estágio para pequenos sinais com ganho de 100 e que seja aplicada uma malha de realimentação com fator β unitário. Caso V_S e V_n permaneçam inalterados com a realimentação, verificar-se-á que a variação na relação sinal-ruído da tensão de saída do estágio de potência será de

• A. 0 dB.
• B. 30 dB.
• C. 10 dB.
• D. 60 dB.
• E. 40 dB.

Seja um estágio de saída classe B que fornece 40,5 W para uma carga de 9 Ω. Sabe-se que a tensão provida pela fonte de alimentação possui valor igual à tensão de pico de saída a fim de evitar a saturação dos transistores do circuito. Pode-se afirmar que o rendimento da conversão de potência e a potência máxima dissipada em cada transistor para operação segura são, respectivamente, iguais a (utilize π = 3 nos cálculos)

• A. 50% e 30 W.
• B. 25% e 60 W.
• C. 75% e 9 W.
• D. 65% e 27 W.
• E. 80% e 20 W.

Na fabricação de circuitos integrados, algumas estruturas de teste podem ser usadas para avaliação do processo. Analise as sentenças a seguir: I) Para a correta avaliação do processo de fabricação de um CI, é sempre necessário realizar a caracterização de um componente eletrônico. II) É possível caracterizar partes de um processo de fabricação de CIs por meio de estruturas de teste visual. III) Estruturas de inspeção visual têm como objetivo a avaliação exclusivamente qualitativa. Estão corretas as sentenças:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. II e III
• E. III

Avalie as assertivas a seguir sobre estruturas de teste para avaliação de processos de fabricação de circuitos integrados:

I) Um exemplo de estrutura de inspeção visual é o conjunto de linhas.

II) Para realização de testes com conjunto de linhas, são colocadas linhas nas direções x e y do wafer a ser testado.

III) Os conjuntos de linhas podem ser feitos de forma que o período seja constante, mas a largura da linha seja diminuída; o período seja constante, mas a distância entre linhas seja diminuída; ou tanto linha quanto distância entre linhas são diminuídas alterando assim a periodicidade das linhas.

Estão corretas as assertivas:

• A. I
• B. I e II
• C. II
• D. II e III
• E. I, II e III